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一种线性掺杂的高压Ｎ型金属氧化物半导体管，在Ｎ型衬底上设有Ｐ型阱和Ｎ型漂移区，在Ｐ型阱内设有Ｐ型接触孔和Ｎ型源，在Ｎ型漂移区内设有Ｎ型漏，在Ｐ型阱和Ｎ型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于Ｐ型阱与Ｎ型漂移区交界...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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