电致发光元件形成方法技术

一种电致发光元件（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　ｄｅｖｉｃｅ；ＥＬ　ｄｅｖｉｃｅ）及其形成方法，电致发光元件包括一基板以及形成于该基板内的多个像素，每一像素包括一第一区域以及第二区域。第一区域包括至少一第一电容与第二电容，第一电容包括一第一导电层、位于该第一导电层上的第一介电层以及位于该第一介电层上的第二导电层，第二电容包括该第二导电层、位于该第二导电层上的第二介电层以及位于该第二介电层上的第三导电层。第二区域包括一形成于该基板上的第一半导体层、位于该第一半导体层上的第一栅极氧化层以及位于该第一栅极氧化层上的第四导电层。根据本发明专利技术可大幅提升储存电容值而不会降低开口率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电I丈发光元f牛(electroluminescence device; EL device), 且特别是有关于 一种电致发光元件的储存电容以及形成该电容的方法。
技术介绍
电致发光元件为一种利用电致发光的现象放射光线的元件，电致发光元 件通常包括薄膜晶体管(TFT)以及发光二极管(LED),每一发光二极管更包括 一发光层，假若该发光层包含有机发光材质，则称该元件为有机电致发光元 件，当电流通过发光二极管元件的阴极与阳极时，光线由该发光层放射出来。一般而言，有源矩阵式有机发光二极管(organic light emitting diode; OLED)元件或聚合物发光二极管(polymer light emitting diode)元件(无论是电 压驱动或是电流驱动)皆包括一像素阵列，其中，每一像素包括一组子像素， 每一子像素更包括一开关晶体管、 一驱动晶体管以及一储存电容，假若充电 条件许可，理想中可设计一极大的储存电容以避免因串音(crosstalk)或馈通 (feedthrough)效应所造成的灰阶淡化(fading)，对于底部放射的像素，有较大 电容值的储存电容会造成较小的开口率(aperture ratio),在有机发光二极管像 素中，其内的薄膜晶体管、扫描线、数据线与电源线也会降低开口率，因此， 须有一电容可在一有限面积内有一较高的电容值。
技术实现思路
本专利技术的实施例4是供一种电致发光元件(electroluminescence device; EL device),包括一基板以及形成于该基板内的多个像素，每一像素形成于一个 别的像素区域内，每一像素区域至少包括一第一区域以及第二区域。每一像 素于第一区域内包括至少一第一电容与第二电容，第一电容包括一第一导电6层、位于该第一导电层上的第一介电层以及位于该第一介电层上的第二导电 层，第二电容包括该第二导电层、位于该第二导电层上的第二介电层以及位 于该第二介电层上的第三导电层。第二区域包括一形成于该基板上的第一半 导体层、位于该第 一半导体层上的第 一栅极氧化层以及位于该第 一栅极氧化 层上的第四导电层。本专利技术的实施例亦提供一种电致发光元件(electroluminescence device; EL device),包括一基板以及形成于该基板内的多个像素，每一像素形成于 一个别的像素区域内，每一像素区域至少包括一第一区域以及第二区域。每 一像素于第一区域内包括至少一第一电容、第二电容、第三电容与第四电容， 第一电容包括一形成于该基板上的第一半导体层、位于该第一半导体层上的 第 一栅极氧化层以及位于该第 一栅极氧化层上的第 一导电层，第二电容包括 该第 一导电层、位于该第 一导电层上的第 一层间介电层(inter layer dielectric; ILD)以及位于该第一层间介电层上的第二导电层，第三电容于该第一区域内 包括该第二导电层、位于该第二导电层上的硅氮化合物的护层(passivation layer)以及位于该硅氮化合物的护层上的第三导电层，第四电容于该第一区 域内包括该第三导电层、位于该第三导电层上的第一介电层以及位于该第一 介电层上的第四导电层。第二区域包括一晶体管，该晶体管包括形成于该基 板上的第二半导体层、位于该第二半导体层上的第二栅极氧化层以及位于该 第二栅极氧化层上的第五导电层。本专利技术的实施例还4是供一种电致发光元件(electroluminescence device; EL device),包括一基板以及形成于该基板上的多个像素，每一像素形成于 一个别的像素区域内，每一像素区域至少包括一第一区域以及第二区域，每 一像素包括一第一区域以及第二区域上的半导体层、位于该第一区域以及第 二区域上的栅极氧化层、位于该第一区域以及第二区域上的第一导电层、一 层间介电层、 一铟锡氧化物(indium tin oxide; ITO)层、 一硅氮化合物的护层、 一第二导电层、 一硅氮化合物的包覆层、 一有机物层以及一第三导电层，层 间介电层位于该第一区域以及第二区域上的该第一导电层上，铟锡氧化物 (indium tin oxide; ITO)层位于该第一区域上的层间介电层上，硅氮化合物的 护层位于第一区域上的铟锡氧化物上以及第二区域上的层间介电层上，第二 导电层位于该第一区域以及第二区域上的硅氮化合物的护层上，其中，该第 二区域上的第二导电层透过一位于硅氮化合物的护层与栅极氧化层内的介层孔(via hole)提供对第二区域上的半导体层的接触，硅氮化合物的包覆层位 于该第一区域以及第二区域上的第二导电层上，有机物层位于该第一区域以 及第二区域上的硅氮化合物的包覆层上，第三导电层位于该第 一 区域以及第 二区域上的有机物层上，其中，第一区域上的半导体层、栅极氧化层与第一 导电层形成一第一电容，第一区域上的第一导电层、层间介电层与铟锡氧化 物层形成一第二电容，第一区域上的铟锡氧化物层、硅氮化合物的护层与第 二导电层形成一第三电容，第一区域上的第二导电层、硅氮化合物的包覆层、 有机物层与第三导电层形成一第四电容，第二区域上的半导体层、栅极氧化 层、第一导电层形成一晶体管。本专利技术的实施例尚提供 一 种形成电致发光元件(electroluminescence device; EL device)像素的方法，包括提供一基板、定义一电容的第一区域与 一该基板上的晶体管的第二区域、于该第一区域上形成第一导电层、于该第 一区域上的该第一导电层上形成第一介电层、于该第一区域上的该第一介电 层上形成第二导电层、于该第一区域上的该第二导电层上形成第二介电层、 于该第一区域上的该第二介电层上形成第三导电层、于该第二区域上形成一 半导体层、于该第二区域上形成一栅极氧化层以及于该第二区域上的该栅极 氧化层上形成第四导电层，其中，位于该第一区域上的第一导电层连接至一 电源供应电压，且其中，第一区域上的第一导电层、第一介电层与第二导电 层形成一第一电容，第一区域上的第二导电层、第二介电层与第三导电层形 成一第二电容，第二区域上的半导体层、栅极氧化层与第四导电层形成一晶 体管。本专利技术的实施例另4是供 一 种形成电致发光元件(electroluminescence device; EL device)像素的方法，包括提供一基板以及于该基板上形成多个位 于各别像素区域中的像素，每一像素区域包括至少 一第 一 区域及第二区域； 形成每一像素包括于该第一区域及第二区域上形成一半导体层、于该第一区 域及第二区域上形成一栅极氧化层；于该第一区域及第二区域上形成第一导 电层；于该第一区域及第二区域上的该第一导电层上形成层间介电层；于该 第 一 区域上的该层间介电层上形成铟锡氧化物层；于该第 一 区域上的该铟锡 氧化物层上与第二区域上的层间介电层上形成硅氮化合物的护层；于该第一 区域及第二区域上的硅氮化合物的护层上形成第二导电层，其中，该第二区 域上的第二导电层透过一位于硅氮化合物的护层与栅极氧化层内的介层孔(via hole)提供对第二区域上的第 一导电层的接触；于该第 一 区域上形成一有 机层；以及于该第一区域上的有机层上形成一第三导电层，其中，第一区域 上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成电致发光元件的方法，包括：　提供一基板；　于该基板上定义一电容的第一区域与一晶体管的第二区域；　形成一第一导电层于该第一区域上；　形成一第一介电层于该第一区域上的该第一导电层上；　形成一第二导电层于该第一区域上的该第一介电层上；　形成一第二介电层于该第一区域上的该第二导电层上；　形成一第三导电层于该第一区域上的该第二介电层上；　形成一半导体层于该第二区域上；　形成一栅极氧化层于该第二区域上；　形成一第四导电层于该第二区域上的该栅极氧化层上；　定义一有机发光二极管的第三区域于基板上；　形成一第五导电层于该第三区域上；　形成一有机层于该第三区域上的第五导电层上；以及　形成该第三导电层于该第三区域上的该有机层上；　其中，位于第一区域上的该第一导电层、该第一介电层与该第二导电层形成一第一电容，该第一区域上的该第二导电层、该第二介电层与该第三导电层形成一第二电容，该第二区域上的该半导体层、该栅极氧化层与该第四导电层形成一晶体管；　其中，该第三区域上的该第五导电层、该有机层以及该第三导电层共同形成该有机发光二极管。

【技术特征摘要】
US 2004-12-7 11/005,6481. 一种形成电致发光元件的方法，包括提供一基板；于该基板上定义一电容的第一区域与一晶体管的第二区域；形成一第一导电层于该第一区域上；形成一第一介电层于该第一区域上的该第一导电层上；形成一第二导电层于该第一区域上的该第一介电层上；形成一第二介电层于该第一区域上的该第二导电层上；形成一第三导电层于该第一区域上的该第二介电层上；形成一半导体层于该第二区域上；形成一栅极氧化层于该第二区域上；形成一第四导电层于该第二区域上的该栅极氧化层上；定义一有机发光二极管的第三区域于基板上；形成一第五导电层于该第三区域上；形成一有机层于该第三区域上的第五导电层上；以及形成该第三导电层于该第三区域上的该有机层上；其中，位于第一区域上的该第一导电层、该第一介电层与该第二导电层形成一第一电容，该第一区域上的该第二导电层、该第二介电层与该第三导电层形成一第二电容，该第二区域上的该半导体层、该栅极氧化层与该第四导电层形成一晶体管；其中，该第三区域上的该第五导电层、该有机层以及该第三导电层共同形成该有机发光二极管。2. 如权利要求1所述的形成电致发光元件的方法，更包括于该第一区域 上形成该栅极氧化层以及于该栅极氧化层上形成该第一导电层，其中，形成 该第一导电层与形成该第四导电层包括使用相同的材质形成该第一导电层 与该第四导电层，其中，形成该第一介电层包括形成一层间介电层，且其中， 形成该第二介电层包括形成一硅氮化合物护层。3. 如权利要求2所述的形成电致发光元件的方法，更包括于该第一区域 上，在该第二介电层与该第三导电层之间形成一硅氮化合物护层包覆层。4. 如权利要求2所述的形成电致发光元件的方法，更包括于该第二区域上形成该第二导电层，以提供对于该第二区域上的该半导体层的接触。5. 如权利要求1所述的形成电致发光元件的方法，更包括形成一硅氮化合物包覆层于该第 一 区域上的该第二介电层与该第三导 电层之间；以及形成该有机层于该第一区域上的该硅氮化合物包覆层与该第三导电层 之间。6. 如权利要求1所述的形成电致发光元件的方法，其中，形成该第二导 电层与形成该第五导电层包括使用相同的材质形成该第二导电层与该第五 导电层。7. 如权利要求1所述的形成电致发光元件的方法，更包括 形成该栅极氧化层于该第一区域上；以及形成该第一导电层于该第一区域与该第二区域上的栅极氧化层上，该第 一导电层提供对该第二区域上的该半导体层的接触； 其中，形成该第 一介电层包括形成一硅氮化合物护层；形成该第二导电层与形成该第五导电层包括使用相同的材质形成该第 二导电层与该第五导电层；以及形成该第二介电层包括形成一硅氮化合物包覆层。8. 如权利要求7所述的形成电致发光元件的方法，更包括于该第 一 区域 上的该栅极氧化层上形成一层间介电层，且于第三介电层上形成该第一导电 层。9. 如权利要求7所述的形成电致发光元件的方法，更包括于该第一区域 上的第二介电层与该第三导电层之间形成该有机层。10....

【专利技术属性】
技术研发人员：孙文堂，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]