防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法技术

一种防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，通过削缓薄膜晶体管的一源极／漏极两端的一转角处，改善该有源有机发光二极管器件的一阴极层产生断裂的情形。此方法首先提供一基板，在此基板上形成一导电层，然后在导电层上形成一图案化的光阻层，并以该光阻层为罩幕进行一干式蚀刻制作工艺，而形成薄膜晶体管的该源极／漏极图案，其中该源极／漏极图案两端的轮廓呈斜坡状，最后再将光阻层移除。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种有源有机发光二极管器件(Active MatrixOLED)的制造方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
有机发光二极管是一种可将电能转换成光能且具有高转换效率的半导体器件，常见的用途为指示灯、显示面板以及光学读写头的发光器件等等。由于有机发光二极管器件具备一些特性，如无视角、制作工艺简易、低成本、高应答速度、使用温度范围广泛与全彩化等，符合多媒体时代显示器特性的要求，近年来已成为研究的热潮。现今一种有源有机发光二极管器件以在积极的发展中。关于有源有机发光二极管的结构其及制造方法如下所述。图1所示，其绘示为公知一种有源有机发光二极管器件的结构剖面示意图。请参照图1，公知有源有机发光二极管器件的制造方法，首先在一基板100上形成一栅极102。接着于基板100与栅极102上形成一栅极绝缘层104。并且在栅极102上方的栅极绝缘层104上形成一沟道层106。之后，于沟道层106上形成一漏极108a/源极108b，以构成一薄膜晶体管。紧接着，于基板100上方形成一保护层110，覆盖住薄膜晶体管。之后，于保护层110中形成一开口112，并暴露出源极108b。之后，再于保护层110上与部分开口112内部形成一阳极层114，而使阳极层114与源极108b电性连接。之后，于基板100上方依序形成一发光层116以及一阴极层118。如此，即完成一有源有机发光二极管的制作。在公知有源有机发光二极管器件的制作过程中，其有机层116与阴极层118以蒸镀的方式直接镀在薄膜晶体管结构与阳极层114的上方。然而，由于有机层116与阴极层118的阶梯覆盖能力较差，因此在薄膜晶体管结构中的较大转角处120，例如是在漏极/源极108a/108b图案两端的转角处120，将特别容易使后续形成于其上方有机层116与阴极层118产生不连续或断裂的情形。而当阴极层118有不连续或断裂的情形发生时，非但会对器件的电流传导受到影响，且对器件的发光也会造成严重的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的就是在提供一种防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的情形，以使器件的电流传导与器件的发光机制能正常运作。本专利技术提出一种，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极/漏极两端的一转角处，借此以改善有源有机发光二极管器件的阴极层产生断裂的情形，此方法包括在一基板形成一导电层，其中此导电层的材料例如是钼/铝/钼堆栈层。之后，在此导电层上形成一图案化的光阻层，并且以此光阻层为罩幕进行一干式蚀刻制作工艺，而形成薄膜晶体管的源极/漏极图案。其中所形成的源极/漏极图案两端的轮廓呈斜坡状。而此干式蚀刻制作工艺的一反应气体例如是SF6与O2的混合气体，或者是Cl2与BCl3的混合气体，且SF6/O2的比例介于0.5～1.0之间，Cl2/BCl3的比例介于_0.4～0.8之间。最后再将光阻层移除。由于所形成的源极/漏极图案两端的轮廓呈斜坡状，因此可防止后续于其上方所形成的阴极层产生断裂。本专利技术再提出一种，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极/漏极两端的一转角处，借此以改善有源有机发光二极管器件的一阴极层产生断裂的情形，此方法包括在一基板形成一导电层。接着在导电层上形成图案化的一第一光阻层，并且以第一光阻层为罩幕进行一第一蚀刻制作工艺，以移除导电层的部分厚度。之后，进行一光阻层灰化步骤(Ashing)，以移除第一光阻层的部分厚度，而形成一第二光阻层。然后，再以第二光阻层为罩幕进行一第二蚀刻制作工艺，而形成薄膜晶体管的源极/漏极图案。其中，源极/漏极图案两端的轮廓呈阶梯状。最后再将第二光阻层移除。由于所形成的源极/漏极图案两端的轮廓呈阶梯状，因此可防止后续于其上方所形成的阴极层产生断裂。本专利技术再提出一种，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极/漏极两端的一转角处，借此以改善该有源有机发光二极管器件的一阴极层产生断裂的情形，此方法包括在一基板形成一导电层。之后，在导电层上形成一光阻层，并以此光阻层为罩幕进行一蚀刻制作工艺，以形成薄膜晶体管的源极/漏极图案，其中此蚀刻制作工艺的一蚀刻液为HNO3/H3PO4/CH3COOH，且蚀刻液中HNO3的重量比介于0.1～0.2之间。由于本专利技术的方法所使用蚀刻液的HNO3的浓度较高，因此其对于接口的蚀刻速率相对较高，而借此以削缓薄膜晶体管的源极/漏极两端陡峭的转角，以防止后续于其上方所形成的阴极层产生断裂。本专利技术提出一种，此方法首先提供一基板，其中基板上已形成有多个呈阵列排列的薄膜晶体管，且每一薄膜晶体管包括一栅极、一沟道层、一源极以及一漏极。接着，在基板上形成与每一薄膜晶体管对应的一阳极层，其中阳极层与薄膜晶体管的源极电性连接。之后，在基板上方形成一发光层以及一阴极层，覆盖住薄膜晶体管与阳极层。当所形成的阴极层产生断裂的情形时，可于阴极层的表面上形成一修补导电层，借此以修补阴极层发生断裂之处。其中，形成修补导电层的方法例如是溅镀法。另外，形成此修补导电层的方法还可以先进行一热蒸镀步骤或电子束蒸镀步骤，再进行一溅镀步骤。而修补导电层的材料可以是任何能用于修补阴极层的导电材料，较佳的是阴极层相同的材料。本专利技术所提出的，利用特殊的蚀刻方式，以削减源极/漏极两端的转角处，可以有效的达到防止后续所形成的阴极层产生断裂。特别是，本专利技术还可以利用一修补步骤，以修补阴极层的断裂处，而使器件仍能正常运作。为让本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明。附图说明图1为公知一种有源有机发光二极管器件的结构剖面示意图；图2是依照本专利技术第一实施例的有源有机发光二极管器件的结构剖面示意图；图3是依照本专利技术第二实施例的有源有机发光二极管器件的结构剖面示意图；图4A至图4C是依照本专利技术第三实施例的防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的流程剖面示意图；图5A至图5D是依照本专利技术第三实施例的防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的流程剖面示意图；图6A至图6B是依照本专利技术第四实施例的防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的流程剖面示意图。标示说明100、400、500、600基板102栅极 104栅氧化层 106沟道层108a/108b、408a/408b、508a/508b、608漏极/源极110、210、310保护层 112、212开口114、214、314阳极层116、216、316、616发光层118、218、318、618阴极层120、615转角处302感光材料层108、408、508导电层 402、502、504光阻层620修补导电层具体实施方式第一实施例图2所示，其绘示是依照本专利技术第一实施例的有源有机发光二极管器件的结构剖面示意图。请参照图2，本专利技术第一实施例的有源有机发光二极管器件的制造方法首先在一基板100上形成一图案化的第一导电层102，其作为一栅极之用。其中，栅极102的材料例如是铬金属。之后，在基板100与栅极102上形成一栅极绝缘层104。接着，于栅极102上方的栅极绝缘层104上形成一沟道层106。其中，沟道层106的材料例如是非晶硅。紧接着，于沟道层106上形成一图案化的第二导电层108a/108b，其作为一漏极/源极。如此即形成一薄膜晶体管结构。之后，在基板100上方形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极／漏极两端的一转角处，借此以改善该有源有机发光二极管器件的一阴极层产生断裂的情形，其特征在于：该方法包括：在一基板形成一导电层；在该导电层上形 成一图案化的光阻层；以该光阻层为罩幕进行一干式蚀刻制作工艺，以形成该薄膜晶体管的该源极／漏极图案，其中该源极／漏极图案两端的轮廓呈斜坡状；移除该光阻层。

【技术特征摘要】
1.一种防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极/漏极两端的一转角处，借此以改善该有源有机发光二极管器件的一阴极层产生断裂的情形，其特征在于该方法包括在一基板形成一导电层；在该导电层上形成一图案化的光阻层；以该光阻层为罩幕进行一干式蚀刻制作工艺，以形成该薄膜晶体管的该源极/漏极图案，其中该源极/漏极图案两端的轮廓呈斜坡状；移除该光阻层。2.如权利要求1所述的防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该干式蚀刻制作工艺的一反应气体包括SF6与O2的混合气体，且SF6/O2的比例介于0.5～1.0之间。3.如权利要求1所述的防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该干式蚀刻制作工艺的一反应气体包括Cl2与BCl3的混合气体，且Cl2/BCl3的比例介于0.4～0.8之间。4.如权利要求1所述的防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该导电层的材料包括钛/铝/钛堆栈层。5.如权利要求1所述的防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该导电层的材料包括钼。6.一种防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极/漏极两端的一转角处，借此以改善该有源有机发光二极管器件的一阴极层产生断裂的情形，其特征在于该方法包括在一基板形成一导电层；进行一蚀刻制作工艺，以形成该薄膜晶体管的该源极/漏极图案，其中该源极/漏极图案两端的轮廓呈阶梯状。7.如权利要求6所述的防止有源有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中形成该薄膜晶体管的该源极/漏极图案的方法包括在该导电层上形成一图案化的第一光阻层；以该第一光阻层为罩幕进行一第一蚀刻制作工艺，以移除该导电层的部分厚度；移除该第一光阻层的部分厚度，而形成一第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李信宏，苏志鸿，郑逸圣，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]