阵列基板及其制造方法技术

一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明专利技术还提供了一种阵列基板制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种阵列基板及阵列基板的制造方法。更具体地，本专利技术 涉及一种能够减小线电阻的阵列基板及阵列基板的制造方法。
技术介绍
通常，液晶显示器(LCD)装置包括阵列基板(或者薄膜晶体管(TFT)基 板)、相对基板和形成在阵列基板和相对基板之间的液晶层。阵列基板包 括多个栅极线、多个与栅极线交叉的数据线、电连接到栅极线和数据线的 开关元件和电连接到开关元件的像素电极。由于显示装置可能具有大型尺寸和高分辨率，因此有可能增加形成在 阵列基板上的金属线中的以下称为RC延迟的电阻一电容延迟。为了解决 上述提到的问题，人们已经采用低电阻金属如铝(A1)、铜(Cu)等作为金属线如栅极线、数据线等。例如，在全高清(HD)显示屏中，为了达到不少于如约132厘米(如， 约52英寸)的高分辨率和约120HZ的快频，需要铝(A1)线的厚度为不少于 约5000埃，铜(Cu)线的厚度为不少于约4000埃。而且，即使将低电阻线 适用于阵列基板，仍然需要线厚度以等比级数增加。
技术实现思路
根据本专利技术的一个或更多个实施例，公开了系统和方法，以提供能够 形成具有实现低电阻线的足够厚度的线的阵列基板。根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：　具有像素区域的基部基板；　栅极线，所述栅极线包括形成在所述基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层；　第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在具有所述栅极线的所述基部基板上；　第二绝缘 层，所述第二绝缘层形成在具有所述第一绝缘层的所述基部基板上，其中线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成；　数据线，所述数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽内的第二金属层；以及　形成在所述像素 区域的像素电极。

【技术特征摘要】
KR 2007-11-14 10-2007-01158061. 一种阵列基板，包括具有像素区域的基部基板；栅极线，所述栅极线包括形成在所述基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层；第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在具有所述栅极线的所述基部基板上；第二绝缘层，所述第二绝缘层形成在具有所述第一绝缘层的所述基部基板上，其中线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成；数据线，所述数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽内的第二金属层；以及形成在所述像素区域的像素电极。2. 根据权利要求l所述的阵列基板，其中所述第一绝缘层包括具有低 介电常数的有机绝缘层。3. 根据权利要求l所述的阵列基板，其中所述基部基板具有形成在其 上的沟槽，且所述第一种子层和所述第一金属层形成在所述基部基板的所述沟槽中。4. 根据权利要求l所述的阵列基板，还包括电连接到所述栅极线、所 述数据线和所述像素电极的开关元件。5. 根据权利要求4所述的阵列基板，其中所述开光元件包括包含所述第一种子层和所述第一金属层的栅极电极、包含所述第二种子层的源极电 极以及包含所述第二种子层的漏极电极，且所述漏极电极和所述像素电极电连接到形成在所述漏极电极上的所述第二金属层。6. 根据权利要求l所述的阵列基板，还包括形成在所述栅极线的边缘部分的栅极衬垫部；和 形成在所述数据线的边缘部分的数据衬垫部，其中，所述栅极衬垫部包括所述第一种子层、形成在所述第一种子层 上的所述第一金属层、形成为与穿过所述第二绝缘层而形成的栅极衬垫孔 相对应的第二金属层、和与所述第二金属层相接触的栅极衬垫电极，且所述数据衬垫部包括所述第二种子层、形成为与穿过所述第二绝缘层 而形成的数据衬垫孔相对应的所述第二金属层、和与所述第二种子层相接 触的数据衬垫电极。7. 根据权利要求l所述的阵列基板，其中所述第二绝缘层是有机层。8. 根据权利要求7所述的阵列基板，还包括形成在所述第二绝缘层上与所述栅极线和所述数据线相对应的遮光层；形成在所述第二绝缘层和所述像素电极之间的滤色器层。9. 根据权利要求8所述的阵列基板，还包括形成在所述遮光层和所述 滤色器层上的盖层。10. 根据权利要求l所述的阵列基板，其中所述第二绝缘层与形成在 像素区域中的所述滤色器层由相同的材料形成。11. 根据权利要求10所述的阵列基板，还包括形成在所述第二绝缘层上的盖层。12. 根据权利要求l所述的阵列基板，还包括形成在所述基部基板上 的有机层，以在所述有机层上形成有沟槽，其中所述第一种子层和所述第一金属层形成在所述沟槽中。13. —种制造阵列基板的方法，该方法包括采用非电解电镀方法或电解电镀方法在基部基板上形成栅极线，所述栅极线包括形成在第一种子层上的第一金属层；在具有所述栅极线的所述基部基板上形成第一绝缘层； 沿与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金彰洙，宁洪龙，金俸均，朴弘植，金时烈，郑敞午，金湘甲，尹在亨，李禹根，裴良浩，尹弼相，郑钟铉，洪瑄英，金己园，李炳珍，李永旭，金钟仁，金炳范，徐南锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]