半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置，包括：薄膜晶体管；形成在薄膜晶体管上的第一层间绝缘膜；形成在该第一层间绝缘膜上并电连接到源极区域及漏极区域之一方的第一电极；电连接到源极区域及漏极区域之另一方的第二电极；形成在第一层间绝缘膜、第一电极、以及第二电极上的第二层间绝缘膜；形成在第二层间绝缘膜上并电连接到第一电极及第二电极之一方的第一布线；以及形成在第二层间绝缘膜上并不电连接到第一电极及第二电极之另一方的第二布线，其中第二布线和第一电极及第二电极之另一方因形成在第二层间绝缘膜中的断开区域而不电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过无线通信等非接触方法进行通信的半导体装置 及其制造方法。本专利技术特别涉及形成在玻璃或塑料等的绝缘衬底上的 。
技术介绍
通过计算机技术的发展和图像识别技术的进步，利用了条形码等 的介质的信息识别已经广泛普及，并且使用于识别产品数据等。人们 预测所识別的信息量在未来将会进一步增加。另一方面，利用条形码 的信息识别等的不利之处在于，条形码读出器需要与条形码接触，并 且能够存储在条形码中的信息量少。因此，希望非接触式信息识别以 及增加介质的存储容量。因为如上所述的要求，近年来开发了使用了 IC的能够进行无线 通信的半导体装置(也称为ID芯片、IC芯片、IC标签、ID标签、 无线芯片、RFID)。在这种半导体装置中，使用非接触方式，即一般 为无线方式，来读取存储在IC内的存储电路中的信息。通过这种半 导体装置被实用化，则能够实现商品流通等的简化、低成本化、以及 高度安全性。下面，使用图2、图3、及图4A和4B说明利用了半导体装置的 个体识别系统的概要，所述半导体装置使用了上述IC能够进行无线 通信。图2是表示以利用非接触方式识别书包的个体信息为目的的个 体识别系统的概要的图。存储有特定的个体信息的半导体装置221被贴到书包224上，或者被埋在书包224中。信号从电连接于询问器(也称为读写器)223 的天线单元222 ^JC送到所述半导体装置221,当接收到该信号后，半导体装置221将该半导体装置持有的个体信息发送到天线单元222。 天线单元222将所发送的个体信息发送到询问器223，询问器223进 行个体信息的判别。如此那样，询问器223可以识别书包224的个体 信息。另外，通过使用该系统能够实现物流管理、计数以及除去伪造 品等。作为这种半导体装置例如具有图3所示的结构。该半导体装置200 包括天线电路201、整流电路202、稳定电源电路203、放大器208、 解调电路213、逻辑电路209、存储控制电路212、存储电路211、逻 辑电路207、放大器206、以及调制电路205。例如，天线电路201由天线线團241、电容器242构成(参照图 4A)。另外，整流电路202由二极管243及244、以及电容器245构 成(参照图4B)。下面，说明使用这样的IC能够进行无线通信的半导体装置的工 作。天线电路201所接收到的无线信号被二极管243及244进行半波 整流，并被电容器245平滑。该被平滑了的电压包含多个波紋，因此 被稳定电源电路203进行稳定化。将被稳定化了的电压提供到解调电 路213、调制电路205、放大器206、逻辑电路207、放大器208、逻 辑电路209、存储电路211、以及存储控制电路212。另 一方面，天线电路201所接收的信号通过放大器208输入到逻 辑电路209以作为时钟信号。另外，从天线线围241所输入的信号被 解调电路213解调，作为数据输入到逻辑电路209。在逻辑电路209中对所输入的数据进行译码。由于询问器223对 数据进行编码并发送它，所以逻辑电路209对其进行译码。被译码了 的数据送往存储控制电路212，并根据它读出存储在存储电路211中 的信息。存储电路211需要是即使关断电源也能够保持的非易失性存储电 路，使用ROM ( Read Only Memory;只读存储器)等(参照专利文 件l:日本专利第3578057号)。作为所收发的信号，有125kHz、 13.56 MHz、 915MHz、 2.45GHz等，分别由ISO等对规格进行设定。另外，也对收发时的调制及解调方式的规格进行设定。为了制造可以使用这样的IC进行无线通信的半导体装置，如上 所述那样需要形成非易失性存储电路，例如掩模ROM。掩模ROM (以下简单地称为ROM)除了制造半导体装置时以 外不能进行数据写入，因此当制造半导体装置时，在形成掩模ROM 的同时形成数据。各半导体装置的ID号码等的固有数据存储在ROM中。在各半 导体装置中的ID号码等的固有数据互不相同。 一般地，由于使用光 刻法制造ROM,所以需要分别制造光掩模，以便在各半导体装置上 使ID号码等固有数据互不相同。因此，为了制作互不相同的ID号码 等的固有数据，需要高制造成本，并在制造工作上需要费很大的力量。ID号码是用来识别各个半导体装置的号码，根据各半导体装置而 不相同。
技术实现思路
因此，本专利技术提供一种使用了 IC的能够进行无线通信的半导体 装置及其制造方法，其中在该半导体装置中形成有具有互不相同的ID 号码等的固有数据的ROM。鉴于上述问题，本专利技术的特征在于在能够进行无线通信的半导体 装置中，通过形成如下两种布线来写入各半导体装置之间互不相同的 数据因将布线放在电解液里并施加电压来使布线材料溶化而断开电 连接的布线；以及保持电连接状态的布线。更具体地说，关于与构成半导体装置内的存储电路的存储单元阵 列的TFT的活性层电连接的电极或布线，将它们放在电解液里并对想 要断开电连接的电极或布线施加电压，以使该电极或布线溶化。通过 进行这种处理，可以分别形成断开电连接的电极或布线、以及保持电 连接状态的电极或布线。在本专利技术中，上述各半导体装置之间互不相同的数据指的是对应 于各半导体装置的K)号码等的固有数据。在本专利技术的能够进行无线通信的半导体装置(也称为ID芯片、 IC芯片、1C标签、ID标签、无线芯片、RFID)中形成有ROM和逻 辑电路，它们分別具有薄膜晶体管(Thin Film Transistor (TFT))。本专利技术是一种半导体装置，包括形成在衬底上的薄膜晶体管， 该薄膜晶体管包括具有沟道形成区域、源极区域及漏极区域的乌状半 导体膜、栅极绝缘膜、以及栅电极；形成在所述薄膜晶体管上的第一 层间绝缘膜；形成在该第 一层间绝缘膜上并电连接到所述源极区域及 漏极区域之一方的第 一电极；形成在所述层间绝缘膜上并电连接到所 述源极区域及漏极区域之另一方的第二电极；形成在所述第一层间绝 缘膜、所述第一电极、以及所述第二电极上的第二层间绝缘膜；形成 在该第二层间绝缘膜上并电连接到所述第 一 电极及第二电极之一方的 第 一布线；以及形成在所述第二层间绝缘膜上并不电连接到所述第一 电极及第二电极之另一方的第二布线，其中所述第二布线和所述第一 电极及第二电极之另一方因形成在所述第二层间绝缘膜中的断开区域 而不电连接。另外，本专利技术是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤在 衬底上形成岛状半导体膜、栅极绝缘膜、以及栅电极；通过将赋予一 导电类型的杂质添加到所述岛状半导体膜中来在岛状半导体膜中形成 沟道形成区域、源极区域及漏极区域；覆盖所述岛状半导体膜、所述 栅极绝缘膜、以及所述栅电极地形成第一层间绝缘膜；在所述第一层 间绝缘膜上形成电连接到所述源极区域及漏极区域之一方的第一电 极；在所述笫一层间绝缘膜上形成电连接到所述源极区域及漏极区域 之另一方的第二电极；覆盖所述第一层间绝缘膜、所述第一电极、以 及所述第二电极地形成第二层间绝缘膜；在该第二层间绝缘膜中形成 到达所述第 一电极的第 一接触孔；在所述第二层间绝缘膜中形成到达 所述第二电极的第二接触孔；将所述第一电极及第二电极放在电解液 并对所述第一电极及第二电极之一方施加电压，来使所述第一电极及 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于：在衬底上具有：薄膜晶体管，包括：具有沟道形成区域、源极区域及漏极区域的岛状半导体膜、栅极绝缘膜、以及栅电极；第一层间绝缘膜，形成在所述薄膜晶体管上；第一电极，形成在所述第一层间绝缘膜上并电连接到所述源极区域及漏极区域之一方；第二电极，形成在所述第一层间绝缘膜上并电连接到所述源极区域及漏极区域之另一方；第二层间绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜、所述第一电极、以及所述第二电极上；第一布线，形成在所述第二层间绝缘膜上并电连接到所述第一电极或第二电极之一方；以及第二布线，形成在所述第二层间绝缘膜上并不电连接到所述第一电极或第二电极之另一方，其中，所述第二布线和所述第一电极及第二电极之另一方因形成在所述第二层间绝缘膜中的断开区域而不电连接。

【技术特征摘要】
JP 2006-7-21 2006-1993541.一种半导体装置，其特征在于在衬底上具有薄膜晶体管，包括具有沟道形成区域、源极区域及漏极区域的岛状半导体膜、栅极绝缘膜、以及栅电极；第一层间绝缘膜，形成在所述薄膜晶体管上；第一电极，形成在所述第一层间绝缘膜上并电连接到所述源极区域及漏极区域之一方；第二电极，形成在所述第一层间绝缘膜上并电连接到所述源极区域及漏极区域之另一方；第二层间绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜、所述第一电极、以及所述第二电极上；第一布线，形成在所述第二层间绝缘膜上并电连接到所述第一电极或第二电极之一方；以及第二布线，形成在所述第二层间绝缘膜上并不电连接到所述第一电极或第二电极之另一方，其中，所述第二布线和所述第一电极及第二电极之另一方因形成在所述第二层间绝缘膜中的断开区域而不电连接。2. —种半导体装置，其特征在于 在衬底上具有第一薄膜晶体管，包括具有第一沟道形成区域、第一源极区域 及漏极区域的第一岛状半导体膜、栅极绝缘膜、以及笫一栅电极；第二薄膜晶体管，包括具有第二沟道形成区域、第二源极区域 及漏极区域的第二岛状半导体膜、所述栅极绝缘膜、以及第二栅电极;第一层间绝缘膜，形成在所述第一及第二薄膜晶体管上；第一电极，形成在所述第一层间绝缘膜上并电连接到所述第一源 极区域及漏极区域之一方； 第二电极，形成在所述第 一层间绝缘膜上并电连接到所述第 一源极区域及漏极区域之另 一方；第三电极，形成在所述第一层间绝缘膜上并电连接到所述第二源 极区域及漏极区域之一方；第四电极，形成在所述第 一层间绝缘膜上并电连接到所述第二源 极区域及漏极区域之另 一方；第二层间绝缘膜，形成在所述笫一层间绝缘膜、所述第一至第四 电极上；第一布线，形成在所述第二层间绝缘膜上并电连接到所述第一电极；第二布线，形成在所述第二层间绝缘膜上并电连接到所述第二电极；第三布线，形成在所述第二层间绝缘膜上并不电连接到所述第三电极；以及第四布线，形成在所述第二层间绝缘膜上并电连接到所述第四电极，其中，所述第三布线和所述第三电极因形成在所述第二层间绝缘 膜中的断开区域而不电连接。3. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于 其中，所述薄膜晶体管用于非易失性存储电路。4. 根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于 其中，所述第一及第二薄膜晶体管用于非易失性存储电路。5. —种半导体装置的制造方法，包括如下步骤 在衬底上形成岛状半导体膜、栅极绝缘膜、以及栅电极； 通过将赋予一导电类型的杂质添加到所述島状半导体膜中来在该岛状半导体膜中形成沟道形成区域、源极区域及漏极区域；覆盖所述乌状半导体膜、所述栅极绝缘膜、以及所述栅电极，来形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜上形成电连接到所述源极区域及漏极区...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋元健吾，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]