具有薄膜晶体管装置的图像显示系统及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种图像显示系统。图像显示系统包括薄膜晶体管装置，其包括具有像素区及接线端区的基底。第一导电层设置于基底上，其包括位于像素区的薄膜晶体管的栅极电极及位于接线端区的至少一布线。层间介电层设置于基底上，以覆盖位于像素区的薄膜晶体管及位于接线端区的布线。第二导电层设置于像素区的层间介电层上，且电性连接至薄膜晶体管以作为其源极／漏极电极及电性连接至位于接线端区的布线。平坦层设置于位于像素区的层间介电层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种平面显示器(flat panel display, FPD )技术，特别是有 关于一种在接线端区具有防刮结构的薄膜晶体管(TFT)装置，以改善装置 可靠度，以及一种具有防刮结构的薄膜晶体管装置的制造方法。
技术介绍
显示器模组通常包括一薄膜晶体管装置，其设置于一面板上，用以控制 及驱动该面板。图l绘示出习知用于显示器模组的薄膜晶体管装置。薄膜晶 体管装置包括一基底100，其具有一像素区10及一接线端区20。多个薄膜 晶体管及多个储存电容设置于基底100的像素区10内。此处为了简化图式， 仅绘示出一薄膜晶体管113及一储存电容121。通常薄膜晶体管113包括 具有源极/漏极区102b及通道区102a的一有源层102、位于有源层102上的 栅极介电层104、位于栅极介电层104上的栅才及电极106、以及经由穿过一 覆盖位于像素区10的薄膜晶体管113与位于接线端区20的基底100的一层 间介电(interlayer dielectric, ILD)层110而与源极/漏极区102b电性连接的 源极/漏极电极112。再者，储存电容121包括 一上电极120、 一下电极1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像显示系统，包括：　　　　薄膜晶体管装置，包括：　　　　基底，具有像素区及接线端区；　　　　第一导电层，设置于该基底上，包括位于该像素区的薄膜晶体管的栅极电极及位于该接线端区的至少一布线；　　　　层间介电层，设置于该基底上，以覆盖位于该像素区的该薄膜晶体管及位于该接线端区的该布线；　　　　第二导电层，设置于该像素区的该层间介电层上，电性连接至该薄膜晶体管以作为其源极／漏极电极，且电性连接至位于该接线端区的该布线；以及　　　　平坦层，设置于位于该像素区的该层间介电层上。

【技术特征摘要】
US 2006-7-18 11/458,1181.一种图像显示系统，包括薄膜晶体管装置，包括基底，具有像素区及接线端区；第一导电层，设置于该基底上，包括位于该像素区的薄膜晶体管的栅极电极及位于该接线端区的至少一布线；层间介电层，设置于该基底上，以覆盖位于该像素区的该薄膜晶体管及位于该接线端区的该布线；第二导电层，设置于该像素区的该层间介电层上，电性连接至该薄膜晶体管以作为其源极/漏极电极，且电性连接至位于该接线端区的该布线；以及平坦层，设置于位于该像素区的该层间介电层上。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：戴怡文，陈政欣，陈志宏，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]