具有薄膜晶体管装置的图像显示系统及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种图像显示系统。图像显示系统包括薄膜晶体管装置，其包括具有像素区及接线端区的基底。第一导电层设置于基底上，其包括位于像素区的薄膜晶体管的栅极电极及位于接线端区的至少一布线。层间介电层设置于基底上，以覆盖位于像素区的薄膜晶体管及位于接线端区的布线。第二导电层设置于像素区的层间介电层上，且电性连接至薄膜晶体管以作为其源极／漏极电极及电性连接至位于接线端区的布线。平坦层设置于位于像素区的层间介电层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种平面显示器(flat panel display, FPD )技术，特别是有 关于一种在接线端区具有防刮结构的薄膜晶体管(TFT)装置，以改善装置 可靠度，以及一种具有防刮结构的薄膜晶体管装置的制造方法。
技术介绍
显示器模组通常包括一薄膜晶体管装置，其设置于一面板上，用以控制 及驱动该面板。图l绘示出习知用于显示器模组的薄膜晶体管装置。薄膜晶 体管装置包括一基底100，其具有一像素区10及一接线端区20。多个薄膜 晶体管及多个储存电容设置于基底100的像素区10内。此处为了简化图式， 仅绘示出一薄膜晶体管113及一储存电容121。通常薄膜晶体管113包括 具有源极/漏极区102b及通道区102a的一有源层102、位于有源层102上的 栅极介电层104、位于栅极介电层104上的栅才及电极106、以及经由穿过一 覆盖位于像素区10的薄膜晶体管113与位于接线端区20的基底100的一层 间介电(interlayer dielectric, ILD)层110而与源极/漏极区102b电性连接的 源极/漏极电极112。再者，储存电容121包括 一上电极120、 一下电极108、 以及设置于其间的一电容介电层。而ILD层110及位于其上方的一平坦层 118可作为该电容介电层。上电极120经由穿过平坦层118而电性连接至源 极/漏极电极112,而上电极120亦可作为像素电极。多个布线及多个接垫设置于基底100的接线端区20内的ILD层110与 平坦层118之间。同样地，此处为了筒化图式，仅绘示出一布线114及一接 垫116。布线114电性连接至位于像素区10的数据线(未绘示)。再者，一 导电插塞122经由穿过平坦层118而电性连接至接垫116,藉以将接垫116 电性连接至驱动IC (未绘示)。在将薄膜晶体管装置并入显示器模组之后，接线端区20内的布线114 及接垫116仅依赖平坦层118作为保护。然而，由类似于压克力(acrylic-like) 的材料所构成的平坦层118受刮时容易产生裂缝。再者，布线或接垫通常由软性金属材料所构成，例如Mo/Al/Mo，其容易因受到外力的作用而变形或 产生金属毛刺(metal burr)，导致邻近的布线或接垫短路。因而使装置可靠 度降低并增加制造成本。因此，有必要发展一种位于接线端区的防刮结构，其能防止布线或接垫 短路以提升装置可靠度。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种图像显示系统。图像显示系统包 括一薄膜晶体管装置，其包括具有一像素区及一接线端区的一基底。 一第一 导电层设置于基底上，其包括位于像素区的一薄膜晶体管的 一栅极电极及位 于接线端区的至少一布线。 一层间介电层设置于基底上，以覆盖位于像素区 的薄膜晶体管及位于接线端区的布线。 一第二导电层设置于像素区的层间介 电层上，且电性连接至薄膜晶体管以作为其源极/漏极电极及电性连接至位于 接线端区的布线。 一平坦层设置于位于像素区的层间介电层上。又，本专利技术提供一种图像显示系统的制造方法，其中图像显示系统包括 一薄膜晶体管，而制造方法包括提供一基底，其具有一像素区及一接线端 区；在基底上形成一第一导电层，其中第一导电层包括位于像素区的一薄膜 晶体管的一栅极电极及位于接线端区的至少一布线；在位于像素区的薄膜晶 体管上及位于接线端区的布线上覆盖一层间介电层；在像素区的层间介电层 中形成一第一接触孔，以露出薄膜晶体管的一源极/漏极区；在像素区的层间 介电层上形成一第二导电层并填入第一接触孔以作为薄膜晶体管的一源极/ 漏极电极，其中第二导电层电性连接至位于接线端区的布线；以及在位于像 素区的层间介电层上形成一平坦层。附图说明图1是绘示出习知用于显示器模组的薄膜晶体管装置剖面示意图2A至2E是绘示出根据本专利技术实施例的具有薄膜晶体管装置的图像显示系统制造方法剖面示意图3是绘示出具有图2E中薄膜晶体管装置的平面显示器模组平面示意图；以及图4是绘示出根据本专利技术另 一实施例的图像显示系统方块示意图。主要元件符号说明 习知10~像素区；20 接线端区；100~基底；102 有源层；102a 通道区；102b 源极/漏极区；104 栅极介电层；106 栅极电极；108 下电极；110~层间介 电层；112~源极/漏极电极；113 薄膜晶体管；114~布线；116~接垫；118~ 平坦层；120~上电极；121 储存电容；122 导电插塞。实施例30 像素区；32显示装置；40 接线端区；41 扇入区；43~驱动IC; 45 扇出区；47 软性印刷电路扇出区；50 平面显示器模组；200~基底；202 有源层；202a 通道区；202b 源极/漏极区；204 栅极介电层；205 布线； 206 栅极电极；207 接垫；208 下电极；210 层间介电层；210a 氧化硅层； 210b 氮化硅层；212 第一接触孔；214 源极/漏极电极；215 第二接触孔； 216 平坦层；216a 第三接触孔；218~像素电极(第一部)；220 导电插塞(第 二部)；300 薄膜晶体管装置；400 平面显示器装置；500 控制器；600~电 子装置。具体实施例方式以下说明本专利技术实施例的制作与使用。然而，可轻易了解本专利技术所提供范围。本专利技术有关于图像显示系统及其制造方法。图2E是绘示出根据本专利技术 实施例的图像显示系统。此系统具有一薄膜晶体管装置300。薄膜晶体管装 置300包括具有一像素区30及一接线端区40的一基底200。 一有源层202 设置于像素区30的基底200上。有源层202包括至少一对源极/漏极区202b 及至少一通道区202a,位于欲形成一薄膜晶体管的区域。 一栅极介电层204， 例如一氧化硅层、 一氮化硅层或是其组合，覆盖有源层202且露出源极/漏极 区202b。用以定义栅极线的一第一导电层设置于基底200上。在本实施例中，第 一导电层可包括位于像素区30且延伸自栅极线(未绘示)的薄膜晶体管 的栅极电极206以及位于像素区30的储存电容的下电极208。再者，第一导 电层还包括设置于接线端区40的基底200上的至少一布线205及至少一接垫207。用以定义数据线的一第二导电层设置于一层间介电(ILD)层210 上。第二导电层可包括源极/漏极电极214,其经由穿过ILD层210而与露出 的源极/漏极区202b电性连接。再者，源极/漏才及电极214的其中之一延伸自 数据线(未绘示)并电性连接至位于接线端区40的布线205。在本实施例中， ILD层210可由氧化硅层210a及位于其上的氮化硅层210b所构成，其中氧 化硅层210a的厚度约为3000埃，而氮化硅层210b的厚度约为3000埃。再 者，位于接线端区的ILD层210提供防刮保护。一平坦层216设置于位于像素区30的ILD层210上并露出源极/漏极电一第三导电层包括设置于平坦层216上并藉由穿过平坦层216而与第二导 电层电性连接的一第一部218及设置于位于接线端区40的ILD层210上并 藉由穿过ILD层210而与接垫207电性连接的一第二部220。第三导电层的 第一部218可作为储存电容的上电极且可作为显示装置的像素电极，例如 LCD或是OLED装置。图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像显示系统，包括：　　　　薄膜晶体管装置，包括：　　　　基底，具有像素区及接线端区；　　　　第一导电层，设置于该基底上，包括位于该像素区的薄膜晶体管的栅极电极及位于该接线端区的至少一布线；　　　　层间介电层，设置于该基底上，以覆盖位于该像素区的该薄膜晶体管及位于该接线端区的该布线；　　　　第二导电层，设置于该像素区的该层间介电层上，电性连接至该薄膜晶体管以作为其源极／漏极电极，且电性连接至位于该接线端区的该布线；以及　　　　平坦层，设置于位于该像素区的该层间介电层上。

【技术特征摘要】
US 2006-7-18 11/458,1181.一种图像显示系统，包括薄膜晶体管装置，包括基底，具有像素区及接线端区；第一导电层，设置于该基底上，包括位于该像素区的薄膜晶体管的栅极电极及位于该接线端区的至少一布线；层间介电层，设置于该基底上，以覆盖位于该像素区的该薄膜晶体管及位于该接线端区的该布线；第二导电层，设置于该像素区的该层间介电层上，电性连接至该薄膜晶体管以作为其源极/漏极电极，且电性连接至位于该接线端区的该布线；以及平坦层，设置于位于该像素区的该层间介电层上。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：戴怡文，陈政欣，陈志宏，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]