显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示装置及其制造方法，该显示装置避免了薄膜边缘的剥离，并具有：包括显示区和非显示区的塑料绝缘基板；使用设置在塑料绝缘基板上的阴影掩模而形成在该塑料绝缘基板上的栅线组件；栅极绝缘层，形成在显示区中的栅线组件上；形成在栅极绝缘层上的数据线和形成在非显示区中并与栅极绝缘层分开的数据焊盘；以及形成在数据线上的钝化层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种其中无机层形成有阴影掩模的显示装置。
技术介绍
平板显示器通常包括由玻璃绝缘材料制成的薄膜晶体管(TFT)基板，然而现在常采用轻薄的塑料绝缘基板来取代玻璃。为了提高生产率，TFT等形成在塑料母基板上，将其然后切割以形成多个TFT基板。图1示出包括塑料绝缘基板的TFT基板的常规制造。塑料母基板10容易通过热处理而变形，从而粘合到待处理的虚拟玻璃基板20。当无机层沉积在塑料母基板10上时，该无机层由于对塑料的粘附较弱以及塑料和无机层之间的热膨胀差异而受应力。因此，无机层可能由于该应力而从塑料剥离。通常，为了减小无机层上的应力，塑料母基板10被切割为多个子基板11，如图1所示，然后TFT形成在每个子基板11上。然而，由于抗剥离能力较弱的边缘区的增加，该薄膜可能比常规方法中更容易剥离。此外，边缘处需要的工艺余量是5mm到10mm，且因此可用的显示区减小了。而且，切割工艺降低了分开的基板11与虚拟玻璃基板20之间的粘合强度。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个方面是提供一种显示装置，其中薄膜不从基板剥离。本专利技术的上述和/或其他方面通过提供包括显示装置的LCD而实现，该显示装置包括具有显示区和非显示区的塑料绝缘基板；栅线组件，形成在塑料绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在显示区内的栅线组件上；数据线组件，包括形成在栅极绝缘层上的数据线和形成在非显示区中并且从栅极绝缘层分开的数据焊盘；和形成在数据线组件上的钝化层。根据本专利技术的示范性实施例，栅极绝缘层用设置在塑料绝缘衬底上的阴影掩模形成，且该遮挡膜具有相应于显示区的开口。根据本专利技术的示范性实施例，该显示装置还包括设置在显示区中的栅极绝缘层上的半导体层和欧姆接触层，其中该栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层用设置在塑料绝缘基板上的阴影掩模依次形成。根据本专利技术的示范性实施例，不用阴影掩模形成钝化层。根据本专利技术的示范性实施例，栅线组件包括形成在显示区中的栅线和形成在非显示区中的栅极焊盘，且栅极焊盘与钝化层接触。根据本专利技术的示范性实施例，显示装置还包括面对塑料绝缘基板的相对基板和将塑料绝缘基板粘合到相对基板的密封剂，其中该密封剂与栅极绝缘层分开。根据本专利技术的示范性实施例，显示装置还包括设置在塑料绝缘基板与相对基板之间的液晶层。本专利技术的上述和/或其他方面通过提供包括显示装置的LCD而实现，该显示装置包括塑料绝缘基板；形成在该塑料绝缘基板上的栅线组件；形成在通过阴影掩模的开口暴露出的栅线组件上的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的数据线组件；和形成在数据线组件上的钝化层。根据本专利技术的示范性实施例，显示装置还包括设置在栅极绝缘层上的半导体层和欧姆接触层，其中该栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层依次通过阴影掩模的开口形成。本专利技术的上述和/或其他方面通过提供包括显示装置的制造方法的LCD实现，该方法包括在具有彼此分开的多个子基板区的塑料母基板上形成栅线组件；在塑料母基板上设置具有相应于多个子基板区的开口的阴影掩模。在通过开口暴露的栅线组件上形成无机层；切割该塑料母基板以获得多个子基板区。根据本专利技术的示范性实施例，多个子基板区的每个包括显示区和非显示区，且每个开口相应于显示区。根据本专利技术的示范性实施例，栅线组件包括形成在非显示区中的栅极焊盘。根据本专利技术的示范性实施例，显示装置的制造方法还包括在形成无机层之后除去阴影掩模；并在无机层上形成数据线组件。根据本专利技术的示范性实施例，数据线组件包括形成在非显示区中的数据焊盘。根据本专利技术的示范性实施例，无机层包括依次形成的栅极绝缘层、非晶硅层和欧姆接触层。根据本专利技术的示范性实施例，显示装置的制造方法还包括在数据线组件上形成钝化层。根据本专利技术的示范性实施例，用设置的阴影掩模形成钝化层，并还包括除去阴影掩模和在钝化层上形成绝缘层。根据本专利技术的示范性实施例，栅极绝缘层、非晶硅层和欧姆接触层通过化学气相沉积依次形成。根据本专利技术的示范性实施例，栅极绝缘层、非晶硅层和欧姆接触层在100℃到150℃形成。根据本专利技术的示范性实施例，当形成无机层时塑料母基板粘合到虚拟玻璃基板。附图说明从结合了附图的下述描述中，本专利技术的上述和其他特点和优点将变得明显和容易理解，在附图中图1示出显示装置的常规制造方法；图2是根据本专利技术第一实施例的显示装置的透视图；图3是沿图2的线III-III所取的剖面图；图4是沿图2的线IV-IV所取的剖面图；图5到12B示出根据本专利技术第一实施例的显示装置的制造方法；图13和14是根据本专利技术的第二实施例的显示装置的剖面图；图15A和15B示出根据本专利技术第二实施例的显示装置的制造方法；图16和17是根据本专利技术第三实施例的显示装置的剖面图；图18A和18B示出根据本专利技术第三实施例的显示装置的制造方法。具体实施例方式在下面的实施例中，将以液晶显示器(LCD)作为例子描述显示装置，但不限于LCD。其他显示装置例如有机发光二极管、电泳显示器等也在这些实施例的范围内。此后，将参考图2到4描述根据本专利技术第一实施例制造的LCD面板。图2是根据本专利技术的第一实施例的显示装置的透视图；图3是沿图2的线III-III所取的剖面图；图4是沿图2的线IV-IV所取的剖面图。显示装置1包括形成TFTT的第一基板100、面对第一基板100并且其中形成公共电极251的第二基板200、将两基板100和200彼此粘合的密封剂300，以及设置在两基板100和200与密封剂300之间的液晶层400。第一基板100和第二基板200具有矩形形状，且第一基板100比第二基板200大。第一基板100和第二基板200包括其中设置TFTT的显示区和包围显示区并且其中形成密封剂300和焊盘123和144的非显示区。首先，第一基板100描述如下。栅线组件121、122和123形成在第一塑料绝缘基板110上。第一塑料绝缘基板110可以包括聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。栅线组件121、122和123包括横向延伸的栅线121、连接到栅线121的栅电极122和设置在栅线121端部的栅极焊盘123。栅极焊盘123形成得比栅线121宽从而与外部电路连接。栅极绝缘层131包括氮化硅(SiNx)等并形成在第一塑料绝缘基板110和栅线组件121、122和123上。栅极绝缘层131大部分设置在显示区中。栅极绝缘层131仅设置在与显示区相邻的一部分非显示区中。因此，形成在非显示区中的栅极焊盘123与栅极绝缘层131分开。栅极绝缘层131用阴影掩模形成，使得其大部分设置在显示区中，这将在后面详述。半导体层132包括非晶硅等并形成在栅电极122上的栅极绝缘层131上。此外，欧姆接触层133包括重掺杂n型掺杂剂的n+氢化非晶硅，并形成在半导体层132上。半导体层132由栅电极122上的岛形形成，且欧姆接触层133分成在栅电极122两侧的两部分。这里，半导体层132和欧姆接触层133用阴影掩模和栅极绝缘层131形成，这将在后面详述。数据线组件141、142、143和144形成在欧姆接触层133和栅极绝缘层131上。数据线组件141、142、143和144包括纵向形成并交叉栅线121以限定像素的数据线141、从数据线141分支出并在欧姆接触层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：塑料绝缘基板，具有显示区和非显示区；栅线组件，形成在所述塑料绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在所述显示区中的栅线组件上；数据线组件，包括形成在所述栅极绝缘层上的数据线和形成在所述非显示区中并与 所述栅极绝缘层分开的数据焊盘；和钝化层，形成在所述数据线组件上。

【技术特征摘要】
KR 2005-12-14 123419/051.一种显示装置，包括塑料绝缘基板，具有显示区和非显示区；栅线组件，形成在所述塑料绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在所述显示区中的栅线组件上；数据线组件，包括形成在所述栅极绝缘层上的数据线和形成在所述非显示区中并与所述栅极绝缘层分开的数据焊盘；和钝化层，形成在所述数据线组件上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述栅极绝缘层用设置在所述塑料绝缘基板上的阴影掩模形成，且所述阴影掩模具有相应于所述显示区的开口。3.根据权利要求2所述的显示装置，还包括设置在所述显示区内的栅极绝缘层上的半导体层和欧姆接触层，所述半导体层和所述欧姆接触层依次用设置在所述塑料基板上的阴影掩模形成。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述钝化层不用所述阴影掩模形成。5.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述栅线组件包括形成在所述显示区中的栅线和形成在所述非显示区中的栅极焊盘，且所述栅极焊盘接触所述钝化层。6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括面对所述塑料绝缘基板的相对基板，以及将所述塑料基板粘合到所述相对基板的密封剂，其中所述密封剂与所述栅极绝缘层分开。7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括设置在所述塑料绝缘基板与所述相对基板之间的液晶层。8.一种显示装置，包括塑料绝缘基板；栅线组件，形成在所述塑料绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在通过阴影掩模的开口暴露出的栅线组件上；数据线组件，形成在所述栅极绝缘层上；和钝化层，形成在所述数据线组件上。9.根据权利要求8所述的显示...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宇宰，梁成勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]