半导体制造装置及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法，通过适当地设定蓝宝石衬底的预热工序中的预热条件，可顺利地进行蓝宝石衬底的吸引保持。该半导体制造装置具备：加热板，其使蓝宝石衬底在大气中升温；支承部，其使蓝宝石衬底的背面与加热板相对，并隔开规定间隔对蓝宝石衬底进行支承；以及喷出孔，其设置于加热板，朝向蓝宝石衬底的中心部喷出气体；在利用加热板来预热蓝宝石衬底的情况下，将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为：规定间隔为１ｍｍ以下，来自喷出孔的气体的喷出量为２０Ｌ／ｍｉｎ以上；将预热的结束条件设定为：蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低６５℃以上时。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在制造使用了蓝宝石衬底的半导体器件的工序中，在 需要对蓝宝石衬底进行预热的工序中使用的半导体制造装置及半导体器 件的制造方法。
技术介绍
一般地，使用了蓝宝石衬底，即、在由蓝宝石晶体构成的绝缘^J底的表面上，层叠了硅(Si)等的薄膜半导体层的衬底的半导体器件的制造工艺，基本可以沿用使用了通常的硅衬底的半导体器件的制造工艺，且能够 共用半导体制造装置而以低成本在其生产线上进行制造。在使用了蓝宝石衬底的半导体器件的制造工艺中，在借用使用了硅衬 底的半导体器件的制造工艺的情况下，由于蓝宝石是透明的，因而将产生 由红外线等引起的辐射热的吸收率较低的问题。关于辐射热的吸收率较低的问题，以往的半导体制造装置，是在蓝宝 石衬底的背面紧密备^由光吸收体或者导电体构成的薄膜，并利用灯加热 法或高频感应加热法等，通过辐射热或涡电流来加热薄膜，并通过来自被加热的薄膜的热传导iM吏蓝宝石衬底升温，从而进行在该工序中的蓝宝石衬底的预热(例如，参照专利文献l)。在进行这样的预热的情况下，在该工序中的气氛温度低的制造工序中，例如，在用于常压CVD ( Chemical Vapor Deposi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造装置，其特征在于，具备：　加热板，其使蓝宝石衬底在大气中升温；　支承部，其使上述蓝宝石衬底的背面与上述加热板相对，并隔开规定间隔对上述蓝宝石衬底进行支承；以及　喷出孔，其设置于上述加热板，朝向上述蓝宝石衬底的 中心部喷出气体；　在利用上述加热板来预热上述蓝宝石衬底的情况下，　将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为：上述规定间隔为１ｍｍ以下，来自上述喷出孔的上述气体的喷出量为２０Ｌ／ｍｉｎ以上；　将上述预热的结束条件设定为：上述蓝宝石衬 底的中心部温度比外周缘部温度低６５℃以上时。

【技术特征摘要】
JP 2007-11-30 2007-3110831. 一种半导体制造装置，其特征在于，具备加热板，其使蓝宝石衬底在大气中升温；支承部，其使上述蓝宝石衬底的背面与上述加热板相对，并隔开规定间隔对上述蓝宝石衬底进行支承；以及喷出孔，其设置于上述加热板，朝向上述蓝宝石衬底的中心部喷出气体；在利用上述加热板来预热上述蓝宝石衬底的情况下，将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为上述规定间隔为1mm以下，来自上述喷出孔的上述气体的喷出量为20L/min以上；将上述预热的结束条件设定为上述蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。2. 根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，替代上 述预热的结束条件，而将预热的结束条件设定为在设定了上述预热条 件后经过了两分钟时。3. 根据权利要求1或2所述的半导体制造装置，其特征在于，上 述加热板的设定温度为380'C。4. 一种半导体器件的制造方法，使用了如下的半导体制造装置， 该半导体制造装置具备加热板，其使蓝宝...

【专利技术属性】
技术研发人员：甲斐丈靖，马场裕之，
申请(专利权)人：OKI半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]