电路连接结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电路连接结构，其主要是在基材（例如：集成电路）上选择欲引出信号的数个目标电极，将目标电极上半导体工艺的各层材料（如：导电层、半导体层、绝缘层……等）去除，形成接触孔洞，露出目标电极，在接触孔洞中形成导电桥墩（ｐｉｅｒ），再放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上，以能利用该导电黏稠材料连接导线，并将该导线连接至导电接点上，从而克服了公知技术的缺陷，可通过该导线将目标电极的信号引出至导电接点进行验证或修改制作电路。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电路连接结构，尤其是指一种于基材上形成导电桥墩(pier)，运用放置导电黏稠材料在导电桥墩上连接导线，同时令导线连接至导电接点上，即可通过该导线将目标电极的信号引出进行测量、验证或修改制作电路。
技术介绍
一般欲于集成电路上进行修改电路，其是如图11～图14所示，主要是在集成电路71上利用聚焦离子束72(FIB)或激光，对应所选取的电极73挖开半导体工艺各层材料74(如导电层、半导体层、绝缘层……等)，以形成接触孔洞75，露出该选取的电极73，通过聚焦离子束72或激光配合喷嘴721所喷出的气体分子以在该接触孔洞75内沉积导电体形成导电桥墩76，或先行于接触孔洞75内缘沉积绝缘部77，再于绝缘部77内沉积导电体形成导电桥墩76，最后通过聚焦离子束72或激光配合喷嘴721所喷出的气体分子以在该接触孔洞75的导电桥墩76间以沉积导电体相连接形成导电桥面78；上述方式主要是利用聚焦离子束(FIB)或激光于集成电路上以略过或改变其电极相互间的连结关系，但其无法在集成电路上增加电子元件以改变其电路持性，使得在集成电路的电路修改制作上存有诸多不便困扰，而仍具有极大尚待改进的空间。技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路连接结构，其基材上对应所选取的各电极形成有各接触孔洞，并分别沉积形成有导电桥墩；其特征在于：　　　　该导电桥墩通过导电黏稠材料向外连接导线，同时所述导线另一端连接至导电接点上，将所选取电极的信号引出至该导电接点。

【技术特征摘要】
1.一种电路连接结构，其基材上对应所选取的各电极形成有各接触孔洞，并分别沉积形成有导电桥墩；其特征在于该导电桥墩通过导电黏稠材料向外连接导线，同时所述导线另一端连接至导电接点上，将所选取电极的信号引出至该导电接点。2.如权利要求1所述的电路连接结构，其特征在于该基材为集成电路。3.如权利要求1所述的电路连接结构，其特征在于所述基材各接触孔洞内缘先行沉积绝缘材料形成有绝缘部，所述绝缘部内沉积导电材料形成有所述导电桥墩。4.如权利要求1所述的电路连接结构，其特征在于该导电黏稠材料为导电胶。5.如权利要求1所述的电路连接结构，其特征在于该导电接点为各种测量机台的输入、输出端子。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：余维斌，廖永顺，廖兴盛，
申请(专利权)人：宜特科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]