将电路讯号引出的方法技术

本发明专利技术有关于一种将电路讯号引出的方法，其主要是于基材（例如：集成电路）上选择欲引出讯号的数个目标电极，运用聚焦离子束（Ｆｏｃｕｓｅｄ　　ｉｏｎｂｅａｍ；ＦＩＢ）或激光将目标电极上各种半导体制程使用的材料［如：导电层、半导体层、绝缘层等］去除，形成接触孔洞，露出目标电极，再利用聚焦离子束或激光伴随化学气相沉积［ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ］的方式于接触孔洞中形成导电桥墩［ｐｉｅｒ］，再放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上，以能利用该导电黏稠材料连接金属导线形成导电路径，既可通过该金属导线将目标电极的讯号引出进行验证测试或者也可以增加电子元件于既有电路中，以进行修改制作电路的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种。
技术介绍
如图13～图16所示，一般欲于集成电路上进行修改电路，主要是于集成电路71上利用聚焦离子束(FIB)72或激光，对应所选取的电极73挖开半导体制程各层材料74〔如导电层、半导体层、绝缘层等〕，以形成接触孔洞75露出该选取的电极73，通过聚焦离子束72或激光配合喷嘴721所喷出的气体分子以于该接触孔洞75内沉积导电体形成导电桥墩76，或先行于接触孔洞75内缘沉积绝缘部77，再于绝缘部77内沉积导电体形成导电桥墩76，最后通过聚焦离子束72或激光配合喷嘴721所喷出的气体分子以于该接触孔洞75的导电桥墩76间以沉积导电体相连接形成导电桥面78；上述方式主要是利用聚焦离子束〔FIB〕或激光于集成电路上以略过或改变其电极相互间的连结关系，除此以外，并无法于集成电路上增加电子元件以改变其电路持性，使得于集成电路的电路修改制作上存有诸多不便困扰，而仍具有极大的尚待改进的空间。
技术实现思路
由此，本专利技术的目的是提供一种，可以将集成电路内的电极的讯号透过导电黏稠材料连接金属导线引出于集成电路外，以供集成电路设计者直接对该集成电路进行电路修改和加入电子元件的机会，利用本专利技术的方法制作样本交由客户验证，可减少上市时程、加快上市时间，进而节省开支、降低成本的支出。 本专利技术，其主要步骤包括(a)提供一基材〔例如集成电路〕，该基材内包含有复数个电极；(b)选取欲引出讯号的电极；(c)通过聚焦离子束或激光对应所选取的电极挖开半导体制程各层材料形成接触孔洞以露出该电极；(d)通过该聚焦离子束或激光配合喷嘴所喷出的气体分子以于该接触孔洞内沉积导电体形成导电桥墩，或先行于接触孔洞内缘沉积绝缘部，再于绝缘部内沉积导电体形成导电桥墩；(e)再放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上，以利用该导电黏稠材料连接金属导线形成导电路径，即可通过该金属导线将目标电极的讯号引出进行验证测试或是可以增加电子元件于既有电路中，以进行修改制作电路的方法。 根据上述方案，本专利技术以集成电路为基材使用聚焦离子束〔FIB〕或激光于目标电极形成导电桥墩〔pier〕，运用放置导电黏稠材料连接金属导线，即可通过该金属导线将目标电极的讯号引出进行验证测试或是可以增加电子元件于既有电路中，能提供集成电路设计者直接对该集成电路进行电路修改和加入电子元件的机会，利用本专利技术的方法制作样本交由客户验证，可减少上市时程、加快上市时间，进而节省开支、降低成本的支出，更具有实用增进的功效。附图说明图1为本专利技术利用聚焦离子束在基材上挖设接触孔洞的剖面示意图。 图2为本专利技术以喷嘴所喷出的气体分子配合聚焦离子束形成导电桥墩的剖面示意图。 图3为本专利技术于导电桥墩放置导电黏稠材料连接金属导线的剖面示意图。 图4为本专利技术于导电黏稠材料外包覆绝缘材料的剖面示意图。 图5为本专利技术利用金属导线连接量测机台示意图。 图6为本专利技术利用金属导线连接另一基材的电极示意图。 图7为本专利技术利用金属导线连接集成电路的金属接点示意图。 图8为本专利技术利用金属导线连接电子元件示意图。 图9为本专利技术利用金属导线连接电路板的金属接点示意图。 图10为本专利技术利用金属导线连接另一金属导线示意图。 图11为本专利技术于导电桥墩延伸段放置导电黏稠材料连接金属导线的剖面示意图。 图12为本专利技术于导电桥墩延伸段上导电黏稠材料外包覆绝缘材料的剖面示意图。 图13为现有利用聚焦离子束在基材上挖设接触孔洞的剖面示意图。 图14为现有以喷嘴所喷出的气体分子配合聚焦离子束形成导电桥的剖面示意图(一)。 图15为现有以喷嘴所喷出的气体分子配合聚焦离子束形成导电桥的剖面示意图(二)。 图16为现有以喷嘴所喷出的气体分子配合聚焦离子束形成导电桥的剖面示意图(三)。 主要元件符号说明1 基材 11 电极12 半导体制程各层材料 13 接触孔洞2 聚焦离子束 21 喷嘴3 导电桥墩 31 导电桥墩延伸段4 导电黏稠材料 5 金属导线51 量测机台 52 基材521 电极 53 集成电路531 金属接点 54 电子元件55 电路板 551 金属接点56 金属导线 6 绝缘材料71 集成电路 72 聚焦离子束721 喷嘴 73 电极 74 半导体制程各层材料 75 接触孔洞76 导电桥墩 77 绝缘部78 导电桥面具体实施方式首先，由于本专利技术可应用于多种不同实施例上，为避免过于赘述，现仅选择其中一种实施例做为本专利技术实施方法的说明，其相对也能广泛应用在各种电路修改制作上。 参阅图1所示，本专利技术为利用导电黏稠材料配合聚焦离子束形成导电路径，提供一基材1〔例如集成电路IC〕，该基材1内包含有复数个电极11，选取欲引出讯号的电极11使用聚焦离子束2〔常见例如镓(gallium)离子束〕或激光来去除各电极11上的半导体制程各层材料12〔如导电层、半导体层、绝缘层等〕，以在基材1上对应所选取的各电极11形成数接触孔洞13露出该电极11。 再参阅图2所示，在基材1上对应所选取的电极11形成的各接触孔洞13，利用聚焦离子束2或激光配合喷嘴21〔nozzle〕所喷出的气体分子〔为含铂(Pt)、钨(W)等导电材质的气体或二氧化硅(SiO2)等绝缘材质的气体〕而于各接触孔洞13内分别沉积形成导电桥墩3或先行于接触孔洞13内缘沉积绝缘部〔图中未示〕，再于绝缘部〔图中未示〕内沉积形成导电桥墩3。 本专利技术的主要改进在于如图3所示，于该导电桥墩3上放置导电黏稠材料4〔如导电胶等〕，同时于导电桥墩3上利用导电黏稠材料4连接金属导线5形成导电路径，即可达到将所选取电极11的讯号引出的目的。 另外，本专利技术于对应基材1电极11所形成的导电桥墩3不仅可利用导电黏稠材料4连接金属导线5，且也可如图4所示，于导电黏稠材料4外再包覆有绝缘材料6〔如绝缘胶、二氧化硅(SiO2)等〕，以能同时兼具有加强导电黏稠材料4与金属导线5间的连接强度功效。 如此一来，即能将该对应基材1电极11形成的导电桥墩3利用导电黏稠材料4所连接的金属导线5，如图5所示向外连接各种量测机台51，或如图6所示向外连接另一基材52的电极521，或如图7所示向外连接集成电路53的金属接点531，或如图8所示向外连接电子元件54，或如图9所示向外连接电路板55的金属接点551，或如图10所示向外连接另一金属导线56，以可通过该金属导线5将目标电极11的讯号引出进行验证或进行修改制作电路。 请再参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将电路讯号引出的方法，包括：（ａ）提供一基材，该基材内包含有复数个电极；（ｂ）选取欲引出讯号的电极；（ｃ）于该基材上通过聚焦离子束对应所选取的电极挖开半导体制程各层材料形成接触孔洞以露出该电极；（ｄ）通过 该聚焦离子束配合喷嘴所喷出的各种气体分子以沉积各种材质填入该接触孔洞而形成导电桥墩；其特征在于：（ｅ）放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上，以利用该导电黏稠材料向外连接金属导线形成导电路径，以能将所选取电极的讯号引出。

【技术特征摘要】
1.一种将电路讯号引出的方法，包括(a)提供一基材，该基材内包含有复数个电极；(b)选取欲引出讯号的电极；(c)于该基材上通过聚焦离子束对应所选取的电极挖开半导体制程各层材料形成接触孔洞以露出该电极；(d)通过该聚焦离子束配合喷嘴所喷出的各种气体分子以沉积各种材质填入该接触孔洞而形成导电桥墩；其特征在于(e)放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上，以利用该导电黏稠材料向外连接金属导线形成导电路径，以能将所选取电极的讯号引出。2.如权利要求1所述的将电路讯号引出的方法，其特征在于该基材为集成电路。3.如权利要求1所述的将电路讯号引出的方法，其特征在于该聚焦离子束为镓离子束。4.如权利要求1所述的将电路讯号引出的方法，其特征在于该喷嘴所喷出的气体分子为含铂、钨导电材质的气体。5.如权利要求1所述的将电路讯号引出的方法，其特征在于可先行于基材接触孔洞内缘通过该聚焦离子束配合喷嘴所喷出的绝缘材质气体分子沉积绝缘部，再于绝缘部内沉积导电材质形成导电桥墩。6.如权利要求1所述的将电路讯号引出的方法，其特征在于该导电黏稠材料为...

【专利技术属性】
技术研发人员：余维斌，廖永顺，廖兴盛，
申请(专利权)人：宜特科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]