半导体器件制造技术

一种集成电路，其中，双极晶体管（１）和ＣＭＯＳ晶体管（２、３）在衬底上同时形成．ＣＭＯＳ晶体管的栅（１１、２１）与双极晶体管的发射极（２９）用同一材料形成，双极器件的基极接触由相当于ｎ阱ＭＯＳ管的源、漏区（１７、１８）的区域（２７、２７ａ）构成，并由基区注入（２８）桥接．增加两次光刻掩膜及一次基区注入改进了普通的ＣＭＯＳ工艺．一次光刻步骤决定（２８）的范围，另一次光刻步骤决定氧化层（３０）在（２８）上的范围．基极接触用半自对准的方法产生．（*该技术在2006年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成电路，它包括一个具有一个栅极的ＭＯＳ晶体管和一个具有与栅材料相同的发射极的双极晶体管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：彼得丹尼斯斯科维尔，彼得弗里德布洛姆利，罗格莱斯利巴克，
申请(专利权)人：标准电话电报公共有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]