半导体器件制造技术

一种全自对准的多晶硅发射极双极晶体管．用发射极台面（７）的氧化侧壁（８）（侧壁隔离层）作为＋［＋］Ｐ基极接触注入的掩膜，可实现Ｐ＋［＋］基极接触（１２）的自对准．采用与发射极台面（７）相同的多晶硅所确定的多晶硅对准台面（１４）的氧化侧壁（１７），可获得收集极接触（１３）的对准，但对准台面是淀积在氧化物（２）上．而不是淀积在被注入的基区（５）之上．（*该技术在2006年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
制造双极晶体管的方法包括如下步骤；在未氧化的安排于半导体衬底之中的基区表面上确定多晶硅发射极台面；对台面的侧壁和露出的未氧化的基区表面进行氧化；至少使用了台面的一个氧化的侧壁作为注入掩模，将基极接触区注入到衬底，以便与基区接触，从而基极接触区是与发射极自行对准的。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：彼得丹尼斯斯科维尔，彼得夫里德布洛姆利，罗格莱斯利巴克，加里约翰托姆金斯，
申请(专利权)人：ITT工业公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]