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文档序号:3224061
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一种集成电路,其中,双极晶体管(1)和CMOS晶体管(2、3)在衬底上同时形成.CMOS晶体管的栅(11、21)与双极晶体管的发射极(29)用同一材料形成,双极器件的基极接触由相当于n阱MOS管的源、漏区(17、18)的区域(27、27a)...
该专利属于标准电话电报公共有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过标准电话电报公共有限公司授权不得商用。
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