下载半导体器件的技术资料

文档序号:3224061

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种集成电路,其中,双极晶体管(1)和CMOS晶体管(2、3)在衬底上同时形成.CMOS晶体管的栅(11、21)与双极晶体管的发射极(29)用同一材料形成,双极器件的基极接触由相当于n阱MOS管的源、漏区(17、18)的区域(27、27a)...
该专利属于标准电话电报公共有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过标准电话电报公共有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。