半导体器件制造技术

一种制造带有半自对准Ｐ＋型基极接触（２７，２７ａ）的双极晶体管（１）．Ｐ型基区２８形成在ｎ型区（５）的表面区中，ｎ型区５具有一个集电极．例如是ｎ＋掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区（２９）形成在与基区２８接触的表面上．基区接触区（２７，２７ａ）是利用注入方式且把电极区（２９）作为掩模而形成的．使ｎ＋［＋］型集电极接触区（２５）伸到ｎ型区（５）中．（*该技术在2006年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造带有半自对准基极接触的双极晶体管的方法，其中包括在硅衬底上的另一种导电类型的表面区域中形成第一种导电类型基区的步骤，在表面上形成一个部分并与基区接触的步骤，该被掺杂部分为另一种导电类型并构成晶体管的发射极，在上述与基区接触并互相对应的表面区域上用该部分作掩模通过注入形成一对第一种导电类型基极接触区的步骤，以及在上述表面上与基极接触区隔开的区域形成另一种导电类型的集电极接触步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彼得丹尼斯斯科维尔，彼得弗里德布洛姆利，罗格莱斯利巴克，
申请(专利权)人：标准电话电报公共有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]