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半导体器件制造技术
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文档序号:3223991
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一种制造带有半自对准P+型基极接触(27,27a)的双极晶体管(1).P型基区28形成在n型区(5)的表面区中,n型区5具有一个集电极.例如是n+掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区(29)形成在与基区28接触的表面上.基区接触区(27,2...
该专利属于标准电话电报公共有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过标准电话电报公共有限公司授权不得商用。
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