【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有结晶性的硅半导体薄膜的制作方法及其制作装置。目前业已知道有使用薄膜半导体的薄膜晶体三极管(以下称TFT)。此TFT是通过在基片上形成薄膜半导体，用此薄膜半导体而构成的。此TFT可以利用在各种集成电路中，但特别引起注意的是在光电装置中作为有源矩阵型的设定液晶显示装置各象素的开关器件、和作为形成外围电路的驱动器件而被利用。作为利用在TFT上的薄膜半导体，使用非晶硅膜虽然简单，但存在着其电特性低的问题，为了提高TFT的特性，可以利用具有结晶性的硅薄膜。具有结晶性的硅膜可称为多晶硅、聚硅、微晶硅等。为了得到具有结晶性的硅膜，首先要形成非晶硅膜，而后通过加热进行晶化而完成的。可是，用加热晶化时，需要在600℃以上的加热温度下，加热10小时以上，这样条件下若使用玻璃作为基片是比较困难的。例如用于有源型的液晶显示装置的麻面7059玻璃的玻璃应变点是593℃，在考虑基片的大面积化时，加热到600℃以上会出现问题。根据本专利技术者们的研究，发现了在非晶硅膜的表面微量地淀积镍、钯进而铅等元素，而后进行加热，在550℃下，处理4小时左右就可以进行晶化。在导入上述...
【技术保护点】
半导体制作装置，其特征是具有处理基片功能的多个处理单元，在上述多个处理单元之间具有为搬送基片的基片搬送手段，上述多个处理单元的至少一个，具有将含有促进非晶硅膜晶化的催化剂元素的溶液，涂敷在基片表面的功能。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1993-12-3 339586/931.半导体制作装置，其特征是具有处理基片功能的多个处理单元，在上述多个处理单元之间具有为搬送基片的基片搬送手段，上述多个处理单元的至少一个，具有将含有促进非晶硅膜晶化的催化剂元素的溶液，涂敷在基片表面的功能。2.权利要求1的半导体制作装置，其特征是在基片表面形成非...
【专利技术属性】
技术研发人员：大谷久，安达广树，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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