激光处理方法技术

技术编号:3222866 阅读:126 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种激光处理设备提供一加热腔,一用于激光照射的腔以及一机器人臂,其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450-750℃,接着用激光照射该硅膜,结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。(*该技术在2015年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用激光照射半导体,使其受到各种热处理的技术。迄今,对于用激光照射半导体,使其受到各种热处理的技术是人们所周知的。例如,下列技术都是已知的;采用激光照射非晶硅膜片,将在一玻璃基片上由等离子体CVD形成的一种非晶硅膜片(a-Si膜片)转换为一种晶状硅膜片的技术;以及在经杂质离子掺杂后的一种热处理技术,等等。例如,在由本专利技术申请人申请的日本未审专利申请No.Hei 6-51238中所描述的一种技术,就是使用激光的各种热处理技术以及激光照射设备。由于各种使用激光的热处理并不构成对基片的热损坏,所以在不耐热的材料,例如一种玻璃基片或类似基片被用作基片的场合,该种处理方法成为一种有用的技术。然而,存在着一个问题,即难以在整个时间将热处理效应保持在一个稳定的程度上。因此,当用激光照射非晶硅膜片使其结晶化时,难以稳定地获得所要求的良好的结晶度。这样,要求一种用于稳定获得晶状硅膜片的技术,这种膜片具有良好的结晶度。本专利技术的目的在于至少解决以下方面所述的一个或多个问题(1)在用激光照射半导体对其进行热处理的技术中一直提供稳定的作用;以及(2)进一步提高用激光照射非晶硅膜片所获本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光处理方法包括: 引入一种促进非晶硅膜结晶化的金属元素到该非晶硅膜中的步骤; 对该非晶硅膜进行热处理,以便晶化该非晶硅膜的步骤;以及在样品保持在热处理步骤温度的±100℃范围内的温度上的条件下用激光照射在热处理步骤结晶化的硅膜的步骤。

【技术特征摘要】
JP 1994-7-28 198042/94;JP 1994-7-28 198043/94;JP 11.一种激光处理方法包括引入一种促进非晶硅膜结晶化的金属元素到该非晶硅膜中的步骤;对该非晶硅膜进行热处理,以便晶化该非晶硅膜的步骤;以及在样品保持在热处理步骤温度的±100℃范围内的温度上的条件下用激光照射在热处理步骤结晶化的硅膜的步骤。2.如权利要求1的方法,其中用加热处理步骤晶化的硅膜的结晶度由激光照射步骤加以促进。3.如权利要求1的方法,其中从包括Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Cu,Zn,Ag和Au组中选择的一种或多种元素被用作金属元素。4.一种激光处理方法包括引入一种促进非晶硅膜结晶化的金属元素到该非晶硅膜中的步骤;在600℃或更低的温度上对该非晶硅进行热处理,以便结晶化该非晶硅膜;以及在样品保持在热处理步骤温度的±100℃范围内的温度上的条件下用激光照射在热处理步骤结晶化的硅膜的步骤。5.如权利要求4的方法,其中由加热处理步骤促进结晶化的硅膜的结晶度。6.如权利要求4的方法,其中从包括Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Cu,Zn,Ag和Au组中选择的一种或多种元素被用作金属元素。7.一种激光处理方法包括引入一种促进非晶硅膜结晶化的金属元素到该非晶硅膜中的步骤对该非晶硅膜进行热处理,以便结晶化该非晶硅膜;注入一种杂质离子到由加热处理步骤晶化的至少部分硅膜中的步骤;以及在样品保持在热处理步骤温度的±100℃范围内的温度上的条件下用激光对由注入步骤注入杂质离子的部分进行照射的步骤。8.如权利要求7的方法,其中,由加热处理步骤晶化的硅膜的结晶度由激光照射步骤促进。9.如权利要求7的方法,其中从包括Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Cu,Zn,Ag和Au组中选择的一种或多种元素被用作金属元素。10.一种激光处理方法包括引入一种促进非晶硅膜晶化的金属元素到该非晶硅膜中;连续地从非晶硅膜一边到其另一边移动线性束结构的激光,以便将激光照射到非晶硅膜的表面,其中由激光照射的非晶硅膜区域被连续地结晶化,以及其中激光照射是同加热在450℃或更高温度上的非晶硅膜的受照射的表面进行的,其中上述激光照射是由加热到450℃或更高温度的未受激光照射的表面进行的。11.如权利要求10的方法,其中从包括Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Cu,Zn,Ag和Au组中选择的一种或多种元素被用作金属元素。12.如权利要求10的方法,其中该金属元素被有选择性地引入到该非晶硅膜的一预定区域中。13.一种激光处理方法包括步骤在一温度上加热处理非晶硅膜,以便使其结晶化;以及在保持所说硅膜在所说加热处理步骤的温度的±100℃内的温度上的同时,用激光照射所说晶状硅膜。14.如权利要求13的方法,其中,由所说加热处理步骤晶化的所说硅膜的结晶度由激光照射提高。15.一种激光处理方法包括步骤在低于600℃的温度上加热处理非晶硅膜,以便在所说膜片结晶化;以及在保持所说硅膜在所说加热处理步骤的温度的±100℃内的温度上的同时,用激光照射所说晶状硅膜。16.如权利要求15的方法,其中由所说的加热处理的步骤结晶化的所说硅膜的结晶度由激光照射提高。17.一种激光处理方法包括步骤在一温度上加热处理非晶硅膜,以便使其结晶化;注入一种杂质离子于所说晶化硅膜的至少一区域中;以及在保持所说硅膜在所说加热处理步骤的温度的±100℃的温度上的同时,用激光照射所说晶状硅膜。18.如权利要求17的方法,其中由所说加热处理的步骤晶化的所说硅膜的结晶度由激光照射提高。19.一种激光处理方法包括步骤产生线性截面的激光;以及按所说由所说激光照射的膜片的表面在高于450℃的温度上进行加热以便结晶化由激光连续照射的区域这样的方法,在所说激光从所说硅膜的一边连续移动到所说硅膜的另一边的同时,将所说激光指向非晶膜的表面。20.一种激光处理方法包括步骤在高于455℃以及低于所说玻璃基片的应变点的温度上加热所说硅膜的同时,用激光照射在玻璃基片上形成的硅膜。21.一种激光处理方法包括步骤在高于455℃的温度以及低于所说玻璃基片的应变...

【专利技术属性】
技术研发人员:寺本聪大谷久宫永昭治滨谷敏次山崎舜平
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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