用于制造半导体器件的方法技术

在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液（乙酸镍溶液）的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶（单域区）的区域。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种利用结晶薄膜半导体来制造半导体器件的方法。最近，人们已经把注意力集中到由在一个玻璃或石英衬底上形成的薄膜半导体组成的晶体管。这样一种薄膜晶体管(TFT)是由在一个玻璃衬底或石英衬底的表面上形成的，具有厚度为几百至几千埃(A)的薄膜半导体构成的(绝缘栅场效应晶体管)。TFT用在象有源矩阵型液晶显示装置的领域这样的应用领域里。一个有源矩阵型液晶显示装置具有在一个矩阵中排列的几十万个象素，并且为每个象素设置了作为无关元件的TFT，以便实现高质量的图像显示。实际上为有源矩阵型液晶显示装置设计的可适用的TFT使用了非晶硅的薄膜。然而，以非晶硅的薄膜为基础的TFT在性能上仍然是劣质的。如果作为一个有源矩阵型的液晶显示需要较高的显示功能，那么利用一个非晶硅膜的TFT的特性太低了以致不能满足所需要的等级。此外，已提出利用TFT在一单个衬底上制造一种集成的液晶显示系统，以便不仅实现象素转换，而且还实现了外围的驱动电路。然而，利用非晶硅薄膜的TFT不能构成一个外部驱动电路，因为它具有低的运行速度。特别是，一个基本问题是一个CMOS电路不能由一个非晶硅薄膜获得。这是由于利用非晶硅薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括步骤： 选择地形成一个包括一种与一个非晶硅膜相接触的金属元素的层； 把非晶硅膜构图以便从与包括金属元素的层相接触的非晶硅膜的一部分开始增加面积；和 把激光辐照到非晶硅膜上同时沿着面积增加的方向移动激光，以便形成一个与单晶对应的区域， 其中是在加热非晶硅膜时辐照激光。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1995-5-6 132903/95;JP 1994-9-16 248618/941.一种用于制造半导体器件的方法，包括步骤选择地形成一个包括一种与一个非晶硅膜相接触的金属元素的层；把非晶硅膜构图以便从与包括金属元素的层相接触的非晶硅膜的一部分开始增加面积；和把激光辐照到非晶硅膜上同时沿着面积增加的方向移动激光，以便形成一个与单晶对应的区域，其中是在加热非晶硅膜时辐照激光。2.一种用于制造半导体器件的方法，包括步骤选择地形成一个包括一种与一个非晶硅膜相接触的金属元素的层；通过加热从与包括金属元素的层相接触的非晶硅膜的一部分开始沿着膜表面方向进行晶体生长；把已晶体生长的非晶硅膜构图以便沿着晶体生长的方向增加面积；和通过辐照激光形成一个与单晶对应的区域，同时沿着面积增加的方向移动激光，其中是在450°至600℃上加热硅膜时辐照激光。3.根据权利要求1的方法，其特征是金属元素包括Fe，Co，Ni，Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Pt之中的至少一种元素。4.根据权利要求2的方法，其特征是金属元素包括Fe，Co，Ni，Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Pt之中的至少一种元素。5.根据权利要求1的方法，其特征是在与单晶相对应的区域中的金属元素的浓度是1×1016cm-3至5×1019cm-3。6.根据权利要求2的方法，其特征是在与单晶相对应的区域中的金属元素的浓度是1×1016cm-3至5×1019cm-3。7.根据权利要求1的方法，其特征是与单晶相对应的区域包括浓度为1×1017cm-3至5×1019cm-3的氢元素或卤元素。8.根据权利要求2的方法，其特征是与单晶相对应的区域包括浓度为1×1017cm-3至5×1019cm-3的氢元素或卤元素。9.一种用于制造半导体器件的方法，包括步骤使一个非晶硅膜受到等离子体的作用；选择地形成一个包括一种与非晶硅膜相接触的金属元素的层；把非晶硅膜构图，以便从与包括金属元素的层相接触的非晶硅膜的一部分开始增加面积；和把激光辐照到非晶硅膜上，同时沿着面积增加的方向移动激光，以便形成一个与单晶对应的区域，其中是在加热非晶硅膜时辐照激光。10.一种用于制造半导体器件的方法，包括步骤使一个非晶硅膜受到等离子体的作用；选择地形成一个包括一种与非晶硅膜相接触的金属元素的层；通过加热从与包括金属元素的层相接触的非晶硅膜的一部分开始沿着膜表面方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：中嶋节男，山崎舜平，楠本直人，寺本聪，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]