【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于半导体器件制造工艺的半导体衬底清洗方法和一种使用该清洗方法的半导体器件制造方法。近来，在半导体器件制造工业中，需要在不降低生产率和成品率的条件下高效率地生产出高质量的半导体集成电路。为此，预计将开发出更加有效的半导体衬底清洗方法。在一般使用的传统半导体衬底清洗方法中，重复进行用多种化学试剂进行化学浸没和水清洗的工艺以便除去沾污，例如微粒、金属沾污、有机物等等。但在传统的半导体衬底清洗方法中，较多的化学处理步骤增加了清洗时间。这造成了生产率的降低。这已成为一个问题。例如，在使用高粘度的清洗化学试剂时，通常接着的水清洗不能完全清除所处理的化学试剂，这是一个问题，并且，它降低了产品的成品率。这也是一个问题。本专利技术的一个目的是提供一种能有效地清除沾污和残留化学试剂而不增加化学处理步骤数目的半导体衬底清洗方法。本专利技术的另一个目的是提供一种半导体器件制造方法，该法通过使用该半导体衬底清洗方法能制造出高质量的半导体器件而不降低产品的成品率。上述目的通过这样一个半导体衬底清洗方法得到实现，其中，把半导体衬底浸入具有降低了溶解氧浓度和温度高于60...
【技术保护点】
一种半导体衬底清洗方法，该方法在控制氧浓度以保持纯水中溶解氧浓度的气氛中，将半导体衬底浸入温度高于６０℃、且降低了溶解氧浓度的纯水中，从而清洗半导体衬底表面以腐蚀掉其上的氧化膜。
【技术特征摘要】
JP 1994-12-19 314392/941.一种半导体衬底清洗方法，该方法在控制氧浓度以保持纯水中溶解氧浓度的气氛中，将半导体衬底浸入温度高于60℃、且降低了溶解氧浓度的纯水中，从而清洗半导体衬底表面以腐蚀掉其上的氧化膜。2.如权利要求1的半导体衬底清洗方法，其中使上述气氛与外界大气隔绝，因此保持纯水中溶解氧的浓度。3.如权利要求2的半导体衬底清洗方法，其中调节上述气氛中氧的浓度，以便保持纯水中溶解氧的浓度。4.如权利要求1的半导体衬底清洗方法，其中上述纯水中溶解氧的浓度在室温下低于200ppb。5.如权利要求1的半导体衬底清洗方法，其中把上述半导体衬底浸在纯水中超过10分钟。6.如权利要求1的半导体衬底清洗方法，其中上述纯水的温度高于...
【专利技术属性】
技术研发人员：早风由香，铃木美纪，小川洋辉，藤村修三，森治久，奥井芳子，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。