【技术实现步骤摘要】
本专利技术是极小型高性能半导体装置的构造及制造方法，它涉及小型计算机及工作站等的存储元件以及前述OA机器中用做选择连接的卡片型存储载体，特别是在小型移动式具有相互通信功能的多媒体机器和可完成各种数字处理的图像摄影装置中，用做高速动作和数据编辑的优良存储载体。现在市售的树脂型半导体装置中，为了构成LSI组件的外部电极，多采用制造费用比较低的引线框架。如特开昭61-241959号公报所记载的内容，可根据引线框架和LSI芯片的位置关系，分为引线框架在LSI芯片上面的LOC型(Lead on Chip)和引线框架在LSI芯片下面的COL型(Chip on Lead)。在COL型构造中，使用被称为模片小块的一部分引线框架，进行引线框架和LSI之间的粘结加工，把两者加以固定。在以上两种构造中，引线框架和LSI电极的电连接，用25μm左右的Au导线，使用超声波和热进行压接的导线粘接法。这时，为了确保温度周期的可靠性，至少要有110μm以上的导线环高度的外形尺寸。特别是在COL型中，要与模片小块的厚度相配合，即使薄型化也很难达到0.45mm以下。为了实现构造上的薄型化，在聚...
【技术保护点】
把金属引线框架和ＬＳＩ芯片上的电极进行直接冶金学连接的半导体装置，是采用整体薄型化的引线框架，把其周边进行树脂锭模的半导体装置。
【技术特征摘要】
JP 1994-8-30 204852/94;JP 1994-9-2 209552/941.把金属引线框架和LSI芯片上的电极进行直接冶金学连接的半导体装置，是采用整体薄型化的引线框架，把其周边进行树脂锭模的半导体装置。2.把金属引线框架和LSI芯片上的电极进行直接冶金学连接的半导体装置，是采用整体薄型化的引线框架，把引线框架的一部分作为防止LSI芯片弯曲的加强部件，把其周边进行树脂锭膜的半导体装置。3.把金属引线框架和LSI芯片上的电极进行直接冶金学连接的半导体装置，是采用整体薄型化的引线框架，把引线框架的一部分作为防止LSI芯片弯曲的加强部件，把其周边进行树脂锭模，在未形成LSI芯片电路的镜面覆盖树脂的部分，进行磨削加工，使整体薄型化的半导体装置。4.把金属引线框架和LSI芯片上的电极进行直接冶金学连接的半导体装置，是采用整体薄型化的引线框架，把引线框架的一部分作为防止LSI芯片弯曲的加强部件，把其周边进行树脂锭模，从未形成半导体装置的LSI芯片电路的镜面，对树脂及LSI芯片进行磨削加工，使整体薄型化的半导体装置。5.把金属引线框架和LSI芯片上的电极进行直接冶金学连接的半导体装置，是把整体薄型化的引线框架的一部分作为防止LSI芯片弯曲的加强部件，对其周边进行树脂锭模，使LSI芯片的里面呈露出状态的半导体装置。6.把金属引线框架和LSI芯片上的电极进行直接冶金学连接的半导体装置，是把整体薄型化的引线框架的一部分作为防止LSI芯片弯曲的加强部件，进行树脂锭模时使LSI芯片的里面露出，对LSI芯片的露出面进行磨削加工，使半导体装置整体薄型化的半导体装置。7.如上述权利要求3所记载的，经磨削加工使半导体装置整体薄型化为特征的半导体装置，是对磨削加工后的磨削加工面再进行湿式蚀刻加工的半导体装置。8.如上述权利要求3所记载的，经磨削加工使半导体装置整体薄型化为特征的半导体装置，是对磨削加工后的磨削加工面用抛光布和抛光磨粒进行抛光加工的半导体装置。9.上述权利要求3的半导体装置，是使该引线框架的一部分具有LSI芯片放热的散热片或热传导部分的复合功能，对其周边部分进行树脂锭模，使其放热部分呈露出状态的半导体装置。10.上述权利要求3的半导体装置，是使该引线框架的一部分具有遮挡使LSI芯片发生误动作的紫外线等光线照射的遮光部件的复合功能，对其周边进行树脂锭模的半导体装置。11.上述权利要求3的半导体装置，是对该引线框架的一部分进行加工，使其成为与安装时基板上的电极或同种半导体装置上的电极的位置一致的基准部，对其周边进行树脂锭模的半导体装置。12.权利要求3记载的半导体装置，是在LSI芯片的露出部分，装有LSI芯片放热用的放热板等放热用部件的半导体装置。13.使上述权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫野一郎，川口郁夫，松本邦夫，佐伯准一，吉田亨，谏田尚哉，河合通文，山仓英雄，角田重晴，折桥律郎，增田正亲，河合末男，吉田勇，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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