【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体晶片清洗装置,特别涉及一种改进的半导体晶片清洗装置,在清洗过程中,该装置内槽的形状能变成晶片形状,所以,可以减少清洗空间,减少清洗液的消耗量,获得最佳清洗效果。在制造高集成度半导体器件时,晶片表面上的微细颗粒会严重损害器件特性。因此,近来,能有效地清洗晶片表面上的微细颗粒的清洗技术被认为是本行业最重要的技术。在LSI技术中,2μm半导体器件已实际用于产业中。在制造这种半导体器件时,高集成度半导体器件的制造工艺需要保持超净的清洗技术。因此,随着制造的晶片越来越大及芯片尺寸越来越小,已研制出一种新的清洗装置。特别是,已进一步研究出一种减少供给清洗槽的清洗液(或清洗水)的技术。图1展示的是常规半导体晶片清洗装置的结构,这是一种溢流槽系统。如图所示,该装置包括具有置于其下部的清洗液供给管1a和排放管1b的外槽1;置于外槽1内的内槽2;把清洗液供给装在内槽2的底部上的晶片“W”的挡板3;以及与供给管1a一起用于供送清洗液的泵4。下面参照附图说明在常规半导体清洗装置中清洗晶片的操作。首先,把要清洗的晶片“W”装在内槽2内,然后,开动泵4,通过设置 ...
【技术保护点】
一种半导体晶片清洗装置,包括: 具有供应清洗液的供给管和排放清洗液的排放管的外槽; 置于外槽内的内槽,它包括由形状记忆合金制成的上部; 控制清洗液温度的温度控制部件; 控制通过供给管供给晶片的清洗液的流量的挡板; 给供给管配置的泵,用于给内槽提供清洗液;以及 过滤清洗液的过滤器。
【技术特征摘要】
KR 1995-12-19 51994/95;KR 1995-12-19 51995/951一种半导体晶片清洗装置,包括具有供应清洗液的供给管和排放清洗液的排放管的外槽;置于外槽内的内槽,它包括由形状记忆合金制成的上部;控制清洗液温度的温度控制部件;控制通过供给管供给晶片的清洗液的流量的挡板;给供给管配置的泵,用于给内槽提供清洗液;以及过滤清洗液的过滤器。2根据权利要求1的装置,其特征在于,所述温度控制装置包括控制温度的温度控制器;控制温度控制器的控制装置;以及检测清洗液的温度用的温度传感器。3根据权利要求1的装置,其特征在于,整个内槽皆是由形状记忆合金制成。4根据权利要求1的装置,其特征在于,所述内槽的上部形变成晶片的形状,内槽的内壁上部与晶片的外圆周表面之间的距离大于1mm。5根据权利要求1的装置,其特征在于,内槽的内壁涂有在形变期间不产生微细颗粒的材料,该材料具有耐化学反应和清洗温度的优良特性。6根据权利要求1的装置,还...
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