基片的洗涤方法技术

一种用于从基片上除去粘附粒子的基片洗涤方法，该方法包括：（１）用氨水－过氧化氢水洗涤；（２）用超纯水漂洗；（３）使用含有阴离子表面活性剂的氢氟酸洗涤；以及（４）用超纯水漂洗。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
产业上的利用领域本专利技术涉及，更具体地说，涉及通过除去粘附在各种基片表面上的粒子来洗涤基片的方法，所说的基片包括在电子材料、磁性材料、光学材料、陶瓷等的制造工艺中使用的金属、合金、陶瓷等的基片。本专利技术尤其涉及在半导体的制造工艺中通过除去粘附在硅片基片表面上的粒子来洗涤基片的方法。先有技术通过在由硅单晶构成的半导体基片(晶片)上形成电路而制得的半导体集成电路，例如LSI，其集成度在近年来日益增加，其线路图的线宽也日益微细化。因此，在制造工序中，随着微细化程度的增加，残留在基片上的更为微小的粒子导致制品质量和合格率的降低。在RCA评论(Review)，31(1970)第187～206页上记载了一种用于洗去粘附在晶片上的粒子的方法。该方法是将氨水与过氧化氢水的混合液、盐酸等酸与过氧化氢水的混合液分别加热至80℃，然后将所说晶片顺次地浸渍于这两种混合液中来进行洗涤(RCA洗涤)。在这两种含有过氧化氢水的混合液中，氨水和过氧化氢水的混合液用来除去粘附在晶体基片表面上的粒子，而盐酸与过氧化氢水的混合液用来除去粘附在晶体基片表面上的金属。另外，对于RCA洗涤方法来说，在洗涤后的硅基片表面上会残本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于从基片上除去粘附粒子的基片洗涤方法，该方法包括： (1)用氨水-过氧化氢水洗涤；(2)用超纯水漂洗；(3)使用含 有阴离子表面活性剂的氢氟酸洗涤；以及(4)用超纯水漂洗。

【技术特征摘要】
1995.01.13 JP 3883/951.一种用于从基片上除去粘附粒子的基片洗涤方法，该方法包括(1)用氨水-过氧化氢水洗涤；(2)用超纯水漂洗；(3)使用含有阴离子表面活性剂的氢氟酸洗涤；以及(4)用超纯水漂洗。2.如权利要求1所述的基片洗涤方法，其中所说的氨水-过氧化氢水含有阴离子表面活性剂。3.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：板野充司，毛塚健彦，陶山诚，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：