【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在倒装芯片方式之类的半导体器件中，在焊盘(pad)电极上边形成的凸出电极的形成方法。在用倒装芯片方式进行压焊的半导体器件中，在焊盘电极上边形成有焊锡凸出电极。作为这种焊锡凸出电极的形成方法，以往一直采用蒸镀法、电解电镀法、柱状凸出电极法等方法，但是，蒸镀法对于最近的圆片的大直径化，凸出电极间距的细密化等存在着精度上的问题，而柱状凸出电极法由于造价高故仅仅在试制中才使用，在进行大量生产时，近年来电解电镀法正取代蒸镀法而变成主流。附图说明图17示出了用电解电镀法形成的现有的凸出电极。在该图中，1是圆片，2是铝焊盘电极，3是钝化膜，100是电解电镀凸出电极，101是基底金属膜，102是铜心，103是焊锡凸出电极。在这种凸出电极中，为了确保与半导体器件的焊盘电极之间的电连接的可靠性，在圆片1上边用真空蒸镀法蒸镀上铝、铬、铜形成基底金属膜101。然后，涂敷抗镀覆胶并在该抗镀覆胶的规定部分开设窗口使铝焊盘电极部分2上边的基底金属膜101露出来，以基底金属膜101为公共电极进行铜电解电镀以形成铜心102，之后，进行焊锡的电解电镀。接下来，剥离抗镀覆胶，在留下...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的凸出电极形成方法，其特征是，具有下述工序粘接剂处理工序，用于把粘结剂附加到半导体器件的焊盘电极上边；焊锡小粒附着工序，用于使一个或二个以上的焊锡小粒附着于已附加了粘结剂的部分上；以及焊锡熔融工序，用于熔融焊锡小粒以形成凸出电极。2.一种半导体器件的凸出电极形成方法，其特征是，具有下述工序电镀工序，用于在半导体器件的焊盘电极上边进行无电镀；粘结剂处理工序，用于把粘结剂附加到无电镀部分上；焊锡小粒附着工序，用于使一个或二个以上的焊锡小粒附着于已附加了粘结剂的部分上；以及焊锡熔融工序，用于熔融焊锡以形成凸出电极。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的凸出电极形成方法，其特征是在上述熔融焊锡以形成凸出电极的工序中，在凸出电极内嵌有金属心。4.根据权利要求3所述的半导体器件的凸出电极形成方法，其特征是采用把金属心向一部分或全部的焊锡小粒内至少事先混入一个的办法，在焊锡熔融工序时使之嵌入凸出电极内部。5.根据权利要求3所述的半导体器件的凸出电极形成方法，其特征是采用使金属心与焊锡小粒混合后附着于已附加了粘着剂的部分上的办法，在焊锡熔融工序时，使金属心嵌入凸出电极内。6.根据权利要求3所述的半导体器件的凸出电极形成方法，其特征是采用用与焊锡小粒附着工序独立的粘结剂处理工序和金属心附着工序使金属心附着于电极部分上的办法，在焊锡熔融工序时，使金属心嵌入凸出电极内。7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体器件的凸出电极形成方法，其特征是至少附加一次粘结剂处理工序和仅仅附着焊锡小粒的工序及焊锡熔融工序。8.根据权利要求4所述的半导体器件的凸出电极形成方法，其特征是已混入焊锡小粒内部的金属心的直径比焊锡小粒的膜厚小。9.根据权利要求1或2所述的半导体器件的凸出电极形成方法，其特征是粘结剂处理工序和焊锡小粒附着工序及焊锡熔融工序由高温焊锡粘结剂处理工...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。