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为了清洗半导体衬底表面将半导体衬底浸在具有降低了溶解氧浓度并被加热到温度高于６０℃的纯水中，并在保持纯水中溶解氧浓度的气氛中以腐蚀掉半导体衬底表面上的氧化膜。根据本发明，可有效地清除沾污和残留化学试剂而不增加任何化学处理步骤。该清洗可有效地...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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