【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域。更具体地说，本专利技术涉及一种改进的在加工半导体片的湿式浸蚀/冲洗步骤中从半导体片上除去有机物质的方法。本专利技术还涉及一种用于实施在半导体片的加工过程中用液体处理半导体片的方法和其它方法的装置。在半导体片的加工中，几个工艺步骤都需要使半导体片与液体接触。这些工艺步骤的例子是浸蚀、除去光敏抗蚀剂和预扩散清洗。通常这些步骤使用的化学试剂往往是有毒的，它们可能是强酸、强碱或挥发性溶剂。常规的使半导体片与处理液相接触的装置是一组处理槽或池，将装有半导体片的盒浸没在这种槽中。这种常规的湿式处理装置存在几个困难问题。首先，半导体片在从一个槽转移入另一个槽时会造成沾染，沾染物对加工处理所产生的微电路是非常有害的。其次，所使用的有毒化学试剂和去离子水一般要用新溶液替换，而通常要通过用瓶倒入槽中或用试剂分配装置将新溶液引入处理槽中，或者在使用去离子水的情况下从一个固定设备将去离子水引入处理槽。一般来说化学试剂是由化学公司生产的，然后运送到半导体加工厂。因此，化学试剂的纯度要受化学生产厂所使用的水的水质限制，还要受到运输和贮存该化学药品的容器以及...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种从半导体片上除去有机物质的方法，该方法包括在大约1℃～15℃的温度下使半导体片与臭氧的水溶液相接触。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于上述有机物质是光敏抗蚀剂。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于上述温度大约为5℃～9℃。4.一种从半导体片上除去有机物质的方法，该方法包括将半导体片放置在盛有去离子水的槽中；用足够的时间向去离子水中扩散臭氧，以将半导体片上的有机物质氧化成不溶性气体；将去离子水的温度维持在大约1℃～15℃的范围内；以及用去离子水漂洗半导体片。5.如权利要求4所述的方法，进一步还包括从槽中排出不溶性气体。6.如权利要求4所述的方法，其特征在于通过处理槽中每一半导体片的表面均匀扩散臭氧气体。7.如权利要求4所述的方法，进一步还包括在用去离子水漂洗之后，再用温度大约为65℃～85℃的热去离子水漂洗半导体片。8.如权利要求4所述的方法，其特征在于用大约1～15分钟使臭氧扩散到去离子水中。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于漂洗半导体片大约1～5分钟。10.如权利要求4所述的方法，其特征在于上述有机物质是光敏抗蚀剂。11.如权利要求4所述的方法，其特征在于去离子水的温度大约为5℃～9℃。12.一种从半导体片上除去有机物质的方法，该方法包括将半导体片放置在盛有去离子水的槽中；在去离子水中扩散臭氧；当臭氧被去离子水吸收和形成的气泡穿过去离子水时，与扩散臭氧同时地用紫外光照射臭氧，使之生成能将有机物质氧化成不溶性气体的氧自由基和氯分子；将去离子水的温度维持在大约1～15℃的温度范围内；以及用去离子水漂洗半导体片。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于上述有机物质是光敏抗蚀剂。14.如权利要求12所述的方法，其特征在于从槽中排出不溶性气体。15.一种用于液体处理半导体片的处理槽，该槽带有多个侧壁和一个底部，该槽还包括与槽相连通的向槽提供液体的部件；在处理槽内支承至少一片半导体片与液体相接触的支承部件；与槽有连通的用于向槽内通入气体的部件；以及在槽中用于扩散气体的部件，使液体吸收气体并与槽中放置的每一片半导体片的表面相接触，上述扩散气体的部件有一个带有可渗透部件和不可渗透部件的复合元件，上述可渗透部件有一个顶部和底部，一个在其中心部份限定了一个敞开区域的部件，以及一个位...
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