【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造一种具有晶态半导体的半导体器件的工艺。薄膜晶体管(下文简称TFT)已是公知的，并广泛地用于各类集成电路或电子光学器件，特别是用作为有源矩阵液晶显示装置的每个像素设置的开关元件，以及用于外围电路的驱动元件。容易采用非晶硅膜作为TFT的薄膜半导体。然而，非晶硅膜的电学特性是很差的。具有结晶性的硅膜可以用来解决此问题。具有结晶性的硅膜是例如多晶硅、聚硅及微晶硅。通过首先形成非晶硅膜，然热处理所得之膜进行结晶化，可以制得晶态硅膜。为使非晶硅膜结晶化的热处理要求将该膜在600℃或更高的温度加热10小时或更长时间。这种热处理对玻璃衬底不利。例如，通常用作有源矩阵液晶显示装置衬底的Corning 7059玻璃其玻璃变形点为593℃，因而它不适合作为要经受600℃或更高温加热的大面积衬底。根据本专利技术人的研究，发现将非晶硅膜在550℃加热约4小时，可使该膜结晶化。这可通过在非晶硅膜的表面上安排微量的镍或钯，或其它元素(如铅)来实现。通过等离子处理或蒸镀淀积使所述元素淀积，或通过离子注入而掺入所述元素，可以将前述促进结晶化的元素引入到非晶硅膜的表面。等离...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤： 安排一种促进硅结晶化的催化剂元素或含所说催化剂元素的化合物与非晶硅膜相接触； 在所说催化剂元素或所说化合物与所说的硅膜保持接触的情况下使所说的非晶硅膜结晶化；以及然后 通过激光或强光辐照所说的硅膜，改善所说硅膜的结晶性。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1993-12-1 329761/931.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤安排一种促进硅结晶化的催化剂元素或含所说催化剂元素的化合物与非晶硅膜相接触；在所说催化剂元素或所说化合物与所说的硅膜保持接触的情况下使所说的非晶硅膜结晶化；以及然后通过激光或强光辐照所说的硅膜，改善所说硅膜的结晶性。2.权利要求1的方法，其中所说的催化剂元素是至少一种选自Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As及Sb的元素。3.权利要求1的方法，其中所说的催化剂元素是至少一种选自Ⅷ族元素、Ⅲb族元素、Ⅳb族元素及Ⅴb族元素的元素。4.一种制造半导体器件的方法，包括下列各步骤制备一种溶液，其中促进硅结晶化的催化剂元素被溶解或分散在溶剂中;安排所说的溶液与非晶硅膜相接触;通过加热使所说的非晶硅膜结晶化;以及然后通过激光或强光辐照所说的硅膜，改善所说硅膜的结晶性。5.权利要求4的方法，其中所说的催化剂元素是至少一种选自Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As及Sb的元素。6.权利要求5的方法，其中所说的催化剂元素是至少一种选自Ⅷ族元素、Ⅲb族元素、Ⅳb族元素及Ⅴb族元素的元素。7.权利要求4的方法，其中所说的溶剂是一种极性溶剂。8.权利要求7的方法，其中所说的极性溶剂选自水、醇、酸、氨及其组合物。9.权利要求7的方法，其中所说的催化剂元素是镍。10.权利要求9的方法，其中所说的镍是以选自溴化镍、乙酸镍、草酸镍、碳酸镍、氯化镍、碘化镍、硝酸镍、硫酸镍、甲酸镍、乙...
【专利技术属性】
技术研发人员：大谷久，宫永昭治，张宏勇，山口直明，铃木敦则，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，夏普公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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