温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

制造一种具有晶态硅层作为有源层的薄膜晶体管的方法，包括下述步骤：安排含促进硅结晶化的催化剂与非晶硅膜相接触，在较低温度使非晶硅结晶化以及然后用激光辐照硅膜改善其结晶性。通过控制催化剂在溶液中的浓度，可控制催化剂在结晶化后的硅膜中的浓度。...
该专利属于株式会社半导体能源研究所;夏普公司所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所;夏普公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。