半导体存储器的加速试验方法技术

在本发明专利技术的半导体存储器的加速试验方法中，求出在某个温度Ｔ↓［１］下的信息保持寿命时间ｔ↓［１］等于另一个温度条件Ｔ↓［２］下的信息保持寿命时间ｔ↓［２］的乘幂的关系式，ｔ↓［１］＝ｔ↓［２］↑［ｍ］，而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数ｍ。基于该关系式从某个温度Ｔ↓［１］下的信息保持寿命时间ｔ↓［１］来计算另一个温度Ｔ↓［２］下的信息保持寿命时间ｔ↓［２］。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种通过温度加速来评价使用了强电介质薄膜作为存储单元的半导体存储器的信息保持寿命时间的加速试验方法。为了在限定的时间内评价在某种使用条件下的半导体存储器的寿命，一般来说使用所谓加速试验方法，在该方法中，提供超过该使用条件的工作电压或温度条件来进行寿命试验。特别是在非易失性存储器的信息保持寿命时间或金属接合部分的性能变坏的寿命时间等未施加工作电压的状态的加速试验中，温度加速是有效的。通常在这种温度加速试验中，在将加速温度T2下的寿命时间设为t2、在使用温度T1下的寿命时间设为t1时，使用加速系数K，由下面的(1)式来表示t1与t2的关系t1＝Kt2……(1)其中，使用决定寿命的活化能量Ea，由下面的(2)式给出加速系数KK＝exp(Ea/k×(1/T1-1/T2))式中，T2＞T1……(2)其中，k是玻尔兹曼常数，活化能量Ea由有关寿命对于温度的依存性的实验求出。例如，在对表示寿命的对数与温度的倒数的实验结果作图时得到的回归直线的斜率是活化能量Ea。这一点是基于这样的假设支配寿命的反应的产生几率服从玻尔兹曼分布。如给出2个温度T1、T2，则从上述式(2)可直接求出加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器的加速试验方法，该方法在存储单元中使用了强电介质膜的半导体存储器中记录信息，通过温度加速来评价在没有供给电源的状态下保持于该半导体存储器中的信息保持寿命时间，其特征在于： 求出在某个温度Ｔ↓［１］下的信息保持寿命时间ｔ↓［１］与另一个温度Ｔ↓［２］下的信息保持寿命时间ｔ↓［２］的关系式，ｔ↓［１］＝ｔ↓［２］↑［ｍ］； 用温度的函数表示幂指数ｍ； 基于该关系式从某个温度Ｔ↓［１］下的信息保持寿命时间ｔ↓［１］来计算另一个温度Ｔ↓［２］下的信息保持寿命时间ｔ↓［２］。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1996-9-27 256132/961.一种半导体存储器的加速试验方法，该方法在存储单元中使用了强电介质膜的半导体存储器中记录信息，通过温度加速来评价在没有供给电源的状态下保持于该半导体存储器中的信息保持寿命时间，其特征在于求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1与另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2的关系式，t1＝t2m；用温度的函数表示幂指数m；基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时...

【专利技术属性】
技术研发人员：田恭博，中尾圭策，井上敦雄，吾妻正道，藤井英治，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]