【技术实现步骤摘要】
本本专利技术涉及一种单片混合型半导体集成电路器件，把彼此功能不同的多个功能电路混装在1个半导体芯片上。应用半导体器件的制品，尤其是在个人电脑、移动电话、游戏机等主要领域中，对于多功能、小型、低价等的要求高。多功能发展使系统变得复杂。这就需要各种功能的半导体器件。并且需增大存储器的容量。因此，为了作成系统，必要的单个半导体器件数量增加。在单个半导体器件中，特别是处理器，在单片上集成许多功能，同时要小型化。并且存储器也一样，增加集成在单片上的容量，依然要求小型化。然而，多功能化的发展是急速的，但现实是小型化进展却难以适应。于是近年来，出现了把彼此不同功能的半导体芯片装在1个组件上的多片模块，这促进了半导体制品的小型化发展。多片模块把合格的半导体芯片装在1个组件中。因此，与单个半导体器件比较，需要装配正品半导体芯片的装配工艺。在该装配工艺中，若连接不良，则只含正品半导体芯片也要变成次品，阻碍了成本的降低。从上述情况来看，多片模块不能说是根据低价要求而满足的技术。鉴于上述情况，近来逐渐进入对把彼此功能不同的多个功能电路混装在1个半导体芯片上的技术，即所谓硅片上设置系统技术的...
【技术保护点】
一种单片混合型半导体集成电路器件，在１个半导体芯片上混装彼此功能不同的多个功能电路，其特征是，在所述多个功能电路内，由设置在所述半导体芯片内的分离区域，使所述半导体芯片的电位摆动的功能电路与其他功能电路彼此分离，同时，在所述半导体芯片侧面通过其整周使所述分离区域与所述半导体芯片侧面接触。
【技术特征摘要】
JP 1997-5-1 113900/97;JP 1996-5-30 136892/961.一种单片混合型半导体集成电路器件，在1个半导体芯片上混装彼此功能不同的多个功能电路，其特征是，在所述多个功能电路内，由设置在所述半导体芯片内的分离区域，使所述半导体芯片的电位摆动的功能电路与其他功能电路彼此分离，同时，在所述半导体芯片侧面通过其整周使所述分离区域与所述半导体芯片侧面接触。2.如权利要求1的单片混合型半导体集成电路器件，其特征是，使所述半导体芯片电位摆动的功能电路至少包括一个非易失性存储电路和一个模拟电路；其他功能电路至少包括数字电路、数字/模拟变换电路、静态型存储电路、动态型存储电路中一个。3.如权利要求2的单片混合型半导体集成电路器件，其特征是，所述分离区域是第1导电型半导体衬底，在所述每个功能电路，所述半导体衬底中设置的第2导电型半导体区域中分别形成所述功能电路。4.如权利要求3的单片混合型半导体集成电路器件，其特征是，所述每个功能电路在所述半导体村底中设置的第2导电型半导体区域，形成提供负电压的第1导电型第2半导体区域，在所述第2半导体区域上，形成输入/输出电路，接口电路的任一个。5.一种单片型半导体集成电路器件，彼此功能不同的多个功能电路混装在1个半导体芯片上，其特征是，通过设置在所述半导体芯片内的分离区域，使所述多个各功能电路相互分离，同时，通过所述半导体芯片侧面全周使所述分离区域与所述半导体芯片侧面接触，所述多个功能电路的每个具有专用电源。6.如权利要求5的单片混合型半导体集成电路器件，其特征是，所述多个功能电路至少包括非易失性存储电路、模拟电路、数字电路、数字/模拟变换电路、静态型存储电路、动态型存储电路中的2个。7.如权利要求6的单片混合型半导体集成电路器件，其特征是，所述分离区域是第1导电型半导体衬底，所述功能电路分别形成在每个所述功能电路设置在所述半导体村底中的第2导电型半导体区域上。8.如权利要求7的单片混合型半导体集成电路器件，其特征是，在每个所述功能电路设置在所述半导体衬底中的第2导电型半导体区域上，形成提供负电位的第1导电型第2半导体区域，在所述第2半导体区域上，形成输入/输出电路、接口电路的任一个。9.一种单片混合型半导体集成电路器件的检测方法，将彼此功能不同的多个功能电路混装在1个半导体芯片上，其特征是，利用在所述半导体芯片内设置的分离区域使所述多个各功能电路彼此分离，同时，通过所述半导体芯片侧面的全周使所述分离区域与所述半导体芯片的侧面接触，向所述多个功能电路的每个提供专用电源，根据检查工序，使所述专用电源闭合/断开。10.如权利要求9的一种单片混合型半导体集成电路器件的检测方法，其特征是，所述多个功能电路至少包括非易失性存储电路、模拟电路、数字电路、数字/模拟变换电路、静态型存储电路、动态型存储电路中2个，从所述非易失性存储电路及所述动态型存储电路的任一个中指定故障行、故障列的检查工序中，使其他功能电路的电源...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。