FinFET器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种FinFET器件的形成方法，包括：提供衬底、在衬底上形成鳍部以及栅极；在栅极的侧壁形成侧墙；在栅极之间的鳍部中形成沟槽；在衬底、鳍部、栅极、侧墙上覆盖层间介质层，并使层间介质层填充所述沟槽。本发明专利技术还提供一种FinFET器件，包括：衬底、鳍部，鳍部上形成有将所述鳍部分隔的沟槽，沟槽的横截面呈上大下小的梯形结构；侧壁形成有侧墙栅极以及层间介质层。本发明专利技术的技术方案具有以下优点：使所述沟槽内留有其它影响所述层间介质层填充的杂质的几率变得很小，所述层间介质层能够较好的填充于所述沟槽内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种。
技术介绍
在现有技术中，鳍式场效晶体管(Fin Field Effect Transistor, FinFET)与传统的平面结构晶体管相比，不仅具有较好的栅控能力，还能够较好的抑制短沟道效应，使半导体器件的尺寸得到进一步减小。在现有的制作FinFET器件的过程中，通常先在半导体衬底上形成若干鳍部(fin)，并鳍部上形成栅极以及源区、漏区等器件，以形成相互独立的半导体器件。但是，现有技术FinFET器件的形成方法容易在所述鳍部上留有残留物，这些残留物的存在导致了层间互联结构难以在所述半导体器件上形成。进一步，由于半导体的尺寸不断缩小，使得去除这些残留物变得更为困难。因此，如何尽量避免形成上述残留物，以便于后续形成层间互联结构步骤的进行，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种，以减小在鳍部上形成残留物的几率。为解决上述问题，本专利技术提供一种FinFET器件的形成方法，包括:提供衬底；在所述衬底上形成若干鳍部；形成横跨所述鳍部的若干栅极；在所述栅极的侧壁形成侧墙；在形成所述侧墙之后，在栅极之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成若干鳍部；形成横跨所述鳍部的若干栅极；在所述栅极的侧壁形成侧墙；在形成所述侧墙之后，在栅极之间的鳍部中形成沟槽；形成层间介质层，使所述层间介质层填充所述沟槽且覆盖在所述衬底、鳍部、栅极以及侧墙上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31