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本发明提供一种FinFET器件的形成方法，包括：提供衬底、在衬底上形成鳍部以及栅极；在栅极的侧壁形成侧墙；在栅极之间的鳍部中形成沟槽；在衬底、鳍部、栅极、侧墙上覆盖层间介质层，并使层间介质层填充所述沟槽。本发明还提供一种FinFET器件，包...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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