【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种固体器件，特别是双极型静电感应器件的制造方法和用这种方法制造的晶体管，以及一种新结构的双极型静电感应器件。本专利技术是在半导体材料的衬底表面上首先形成绝缘层，在绝缘层上刻出扩散窗口，通过窗口以扩散或注入方式形成栅区，再在栅区上形成源区，并在栅区、源区表面和漏区上引出电极引线，制成管芯。固体器件最早采用平面工艺，即在高阻单晶片表面分别开扩散孔、进行掺杂扩散，最终形成表面栅和表面源结构的器件。用这种工艺生产器件对光刻要求较高，且栅一栅间距不易做小(须采用电阻率很高的材料)，因此使其工作电流的提高受限制，其次采用这种工艺生产高频管时因其栅源间隙较小，易造成栅源短路和低压软击穿。为克服平面工艺而产生了埋栅工艺，例如中国专利88100546.0，88100466所公开的工艺，这种工艺，栅一栅间距可以做得很小，工作电流也可以很大，栅源间不易短路，但在工艺中却需要进行二次外延，而且栅极引线必须刻蚀去栅墙上方的二次外延层，使工艺变得复杂，加之栅源结寄生电容增大，使其工作频率受到限制。中国专利技术专利88102599.8公开了一种在n型外延片上以大面积扩磷形...
【技术保护点】
一种晶体管的制造方法，在半导体材料的衬底表面上首先形成绝缘层，将绝缘层上刻出扩散窗口，通过窗口以扩散或注入方式形成栅区，再在栅区上形成源区，并在栅区、源区和漏区上引出引线，制成管芯，其特征在于首先在衬底材料表面的形成绝缘层，然后在绝缘层上刻出第一扩散的窗口，用扩散或注入的方式形成栅区及栅墙，再将栅墙所围成的区域内和部分栅墙上的绝缘层去除，形成第二扩散窗口，进行第二次扩散，使经第一次扩散所产生的栅有源区区域内和部分栅墙处的杂质与第二次扩散所掺入的杂质相互补偿，形成具有表面栅与隐埋栅型双重特点的复合结构。
【技术特征摘要】
1.—种晶体管的制造方法，在半导体材料的衬底表面上首先形成绝缘层，将绝缘层上刻出扩散窗口，通过窗口以扩散或注入方式形成栅区，再在栅区上形成源区，并在栅区、源区和漏区上引出引线，制成管芯，其特征在于首先在衬底材料表面的形成绝缘层，然后在绝缘层上刻出第一扩散的窗口，用扩散或注入的方式形成栅区及栅墙，再将棚墙所围成的区域内和部分栅墙上的绝缘层去除，形成第二扩散窗口，进行第二次扩散，使经第一次扩散所产生的栅有源区区域内和部分栅墙处的杂质与第二次扩散所掺入的杂质相互补偿，形成具有表面栅与隐埋栅型双重特点的复合结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于对衬底材料中栅墙外区域用扩散或注入的方式制成限场环和切断环，并在开引线孔、限场环、切断环等位孔后真空蒸镀金属，光刻源、栅电极和等位线，并进行合金化。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于所采用的衬底材料为n性半导体材料，通过第一次扩散窗口向衬底内进行p+扩散，再将栅墙内区域和部分栅墙区上的绝缘层去除，形成第二扩散窗口，在此区域内进行n+扩散，使由第一次扩散所产生的p+栅条的上部分和部分p+栅墙的上部分通过第二次扩散的n+后被补偿，形成位于其上的复合结构的n...
【专利技术属性】
技术研发人员：李思渊，杨建红，何山虎，刘肃，刘瑞喜，桑保生，毕祥林，卓肇龙，马淑萍，卢小莹，马中华，杨利成，任立，
申请(专利权)人：兰州大学，
类型：发明
国别省市：62[中国|甘肃]
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