半导体装置制造方法及图纸

提供具有高效率地配置的内部电源电路的半导体装置。在半导体芯片（１）的半导体装置形成区域（１０）中配置基准电压发生电路和备用降压电路，配置包含邻接于实际消耗电流的电路区、在运行周期时工作的运行降压电路的区域（１２ａ、１２ｂ、１１）。与将备用降压电路和运行降压电路都配置在各电流消耗电路附近的结构相比，可以抑制面积的增加，可以高效率地配置内部电源电路。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及内置电压变换电路的半导体装置，该电压变换电路将外加电源电压变换后生成内部工作电源电压，特别是涉及具有芯片内的内部降压电路的半导体存储器，该内部降压电路将外部电源电压降压后生成内部电源电压。随着半导体装置的集成度的提高，作为其构成要素的晶体管元件越来越微型化了。为了保证微型化了的晶体管元件的可靠性，使信号幅度变小并降低信号线的充放电电流由此减少电流的消耗，设有为降低外部电源电压的芯片内的电压变换电路，以比外部电源电压低的、由该电压变换电路产生的电压来驱动内部电路。作为具有这种电压变换电路的半导体装置的典型例子，有动态随机存取存储器(DRAM)。在DRAM中，从高速工作、元件的可靠性和低消耗电流的观点来看，希望尽可能低的工作电源电压。但是，决定系统电源电压的处理器等的逻辑门的集成度比DRAM的集成度低，所以，逻辑门的电源电压不能低到DRAM的工作电压。此外，DRAM需要保持与老产品的互换性。因此，在DRAM内部将高的系统电源电压降低，生成比该系统电源电压低的内部工作电源电压来驱动DRAM的内部电路。附图说明图11是概略地示出DRAM中一般使用的现有的内部降压电路的构成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有备用周期和运行周期的半导体装置，其特征在于，包括：备用降压电路，配置在上述半导体装置的芯片配置区的周边部，在上述备用周期和运行周期内工作使外部电源电压降压后在内部电源线上生成内部电源电压；至少一个运行降压电路，配置在与上述备 用降压电路的配置区不同的区域中、在上述运行周期内被激活、将上述外部电源电压降压后在上述内部电源线上生成上述内部电源电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1996-12-26 347664/961.一种具有备用周期和运行周期的半导体装置，其特征在于，包括备用降压电路，配置在上述半导体装置的芯片配置区的周边部，在上述备用周期和运行周期内工作使外部电源电压降压后在内部电源线上生成内部电源电压；至少一个运行降压电路，配置在与上述备用降压电路的配置区不同的区域中、在上述运行周期内被激活、将上述外部电源电压降压后在上述内部电源线上生成上述内部电源电压。2.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备中央控制电路，该电路配置在上述运行降压电路的附近、在上述运行周期时将来自上述该运行降压电路的内部电源电压作为其一个工作电源电压来工作、接受外部供给的控制信号生成内部控制信号。3.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备具有多个排列成行列状的存储单元的存储器阵列；根据外部控制信号控制与上述存储器阵列的存储单元列的选择关联的工作的列控制电路。上述列控制电路配置在上述运行降压电路的附近，把上述内部电源线上的内部电源电压作为其一个工作电源电压来工作。4.权利要求1～3任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备配置在上述周边部的区域的、生成基准电压的基准电压发生电路，上述运行降压电路和上述备用降压电路各自具备将与上述内部电源线上的内部电源电压对应的电压与上述基准电压进行比较、根据该比较结果从上述外部电源电压供给节点向上述内部电源线供给电流的内部电压调整电路。5.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述半导体装置的配置区域由第1中央区和第2中央区分割成4个区域，上述第1中央区配置在第1方向的延伸线上且在与上述第1方向正交的第2方向的中央部，上述第2中央区配置在上述第2方向的延伸线上且在上述第1方向的中央部。上述备用降压电路配置在上述第1中央区的周边部，而且上述运行降压电路至少配置在上述第2中央区。6.权利要求1～5任一项所述的半导体装置，其特征在于，设有多个上述运行降压电路。7.权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，上述至少一个运行...

【专利技术属性】
技术研发人员：安田宪一，濑户川润，大石司，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]