具有双栅极半导体器件的制造方法技术

制造具有双栅极半导体器件的方法，包括：在第一部分和第二部分的半导体衬底上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成多晶硅层；在第一部分多晶硅层上选择地注入第一导电型掺杂剂；在第二部分多晶硅层上选择地注入第二导电型掺杂剂；选择地蚀刻多晶硅层在第一部分上形成第一栅极；在第一栅极的两侧选择地注入用于形成源／漏ＬＤＤ区的第一导电型掺杂剂；选择地蚀刻多晶硅层在第二部分上形成第二栅极；在第二栅极两侧选择地注入用于形成源／漏ＬＤＤ区的第二导电型掺杂剂。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，特别是，涉及一种制造具有双栅极的半导体器件的方法。一般说来，有两种制造具有双栅极的半导体器件的方法。第一种方法是，形成栅极的注入掺杂剂过程，及形成源/漏区的注入掺杂剂同时进行。然而，第二种方法是，将这些掺杂剂注入工艺过程分开进行。附图说明图1A到1E是说明根据第一种方法制造具有双栅极的半导体器件的一系列工艺过程的半导体器件的局部剖视图。在第一种方法中，如图1A所示，采用硅局部氧化(LOCOS)技术，在硅衬底11上形成场氧化膜12。接着，又在硅衬底11上形成栅绝缘膜13。然后，在场氧化膜12和栅绝缘膜13上淀积多晶硅层14。在场氧化膜12左侧的部分15打算形成NMOS晶体管，而在场氧化膜12右侧的部分16打算形成PMOS晶体管。此后，如图1B所示，选择性地蚀刻多晶硅层14，从而形成NMOS晶体管栅极17和PMOS晶体管栅极18。接着，如图1C所示，以第一光致刻蚀剂掩模19覆盖用于形成PMOS晶体管的部分16，而后，在要形成NMOS晶体管的部分15上，注入用于形成源/漏LDD区的As+。然后，如图1D所示，降去第一掩模19。此时，以第二光致刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造具有双栅极半导体器件的方法，包括下列步骤： 在具有用于形成第一导电型沟道的ＭＯＳ晶体管的第一部分和用于形成第二导电型沟道的ＭＯＳ晶体管的第二部分的半导体衬底上形成栅绝缘膜； 在栅绝缘膜上形成多晶硅层； 在覆盖着半导体衬底的第一部分的多晶硅层上选择性地注入第一导电型掺杂剂； 在覆盖着半导体衬底的第二部分的多晶硅层上选择性地注入第二导电型掺杂剂； 通过选择性地蚀刻多晶硅层在半导体衬底的第一部分上形成第一栅极； 在位于半导体衬底的第一部分的第一栅极的两侧选择性地注入用于形成源／漏ＬＤＤ区的第一导电型的掺杂剂； 通过选择性地蚀刻多晶硅层在半导体衬底的第...

【技术特征摘要】
KR 1996-12-26 72489/961.一种制造具有双栅极半导体器件的方法，包括下列步骤在具有用于形成第一导电型沟道的MOS晶体管的第一部分和用于形成第二导电型沟道的MOS晶体管的第二部分的半导体衬底上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成多晶硅层；在覆盖着半导体衬底的第一部分的多晶硅层上选择性地注入第一导电型掺杂剂；在覆盖着半导体衬底的第二部分的多晶硅层上选择性地注入第二导电型掺杂剂；通过选择性地蚀刻多晶硅层在半导体衬底的第一部分上形成第一栅极；在位于半导体衬底的第一部分的第一栅极的两侧选择性地注入用于形成源/漏LDD区的第一导电型的掺杂剂；通过选择性地蚀刻多晶硅层在半导体衬底的第二部分上形成第二栅极；以及在位于半导体衬底的第二部分的第二栅极的两侧选择性地注入用于形成源/漏LDD区的第二导电型的掺杂剂。2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，具有用于形成第一栅极的选择性蚀刻工艺的掩模，选择性地注入用于形成源/漏LDD区的第一导电型掺杂剂。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹康植，朴洪培，金钟采，
申请(专利权)人：LG半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]