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制造具有双栅极半导体器件的方法，包括：在第一部分和第二部分的半导体衬底上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成多晶硅层；在第一部分多晶硅层上选择地注入第一导电型掺杂剂；在第二部分多晶硅层上选择地注入第二导电型掺杂剂；选择地蚀刻多晶硅层在第一部分上形...
该专利属于LG半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG半导体株式会社授权不得商用。

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