【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种掩膜只读存储器的方法，且特别是涉及一种利用单一程序化掩膜以定义掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法。接到客户订单后，一般是在掩膜只读存储器(Mask ROM)上，再加一道掩膜层，利用离子注入法进行只读存储器的编码程序，然后再形成焊垫区。不过，由于形成焊垫区时需要额外的一层掩膜层以覆盖已经编码的只读存储器区，因此所需要的成本较高。为使现有工艺方法更清楚可见，兹将于第1A～1F图中，详细说明之。首先，请参照图1A，提供一P型半导体基底100，其上并区分为一只读区和一焊垫区。其次，先依序形成一栅极氧化层120和一多晶硅层130于P型半导体基底100上，然后再以蚀刻平板印刷技术和和蚀刻技术定义多晶硅层130和栅极氧化层120，并分别于只读区和焊垫区形成多个栅极135和135’。接着，利用一露出该只读区的掩膜(未显示)施行源极/漏极注入，使得N型杂质，例如砷或磷，可于栅极135两侧的基底内形成一源极/漏极扩散区110。其中，源极/漏极注入时的N型杂质的能量为大于30keV，且其注入剂量为大于1×1013ions/cm2。然后，请参照图1B，先形成一利...
【技术保护点】
一种单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是：其步骤包括： 提供一第一型半导体基底，且该第一型半导体基底并区分为一只读区和一焊垫区； 在该只读区内和该焊垫区分别形成多个第一栅极和多个第二栅极； 在每一个位于该只读区内的第一栅极两侧基底内形成一第二型源极／漏极区； 依序形成一第一绝缘层和一第二绝缘层于该只读区和该焊垫区表面； 利用蚀刻平板印刷技术和蚀刻技术定义该第一绝缘层和第二绝缘层，形成一露出上述第一栅极以及上述第二型源极／漏极表面的接触开口； 形成多个对准该第二栅极的金属图案于该第二绝缘层上； 形成一保护层于该第二...
【技术特征摘要】
1.一种单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其步骤包括提供一第一型半导体基底，且该第一型半导体基底并区分为一只读区和一焊垫区；在该只读区内和该焊垫区分别形成多个第一栅极和多个第二栅极；在每一个位于该只读区内的第一栅极两侧基底内形成一第二型源极/漏极区；依序形成一第一绝缘层和一第二绝缘层于该只读区和该焊垫区表面；利用蚀刻平板印刷技术和蚀刻技术定义该第一绝缘层和第二绝缘层，形成一露出上述第一栅极以及上述第二型源极/漏极表面的接触开口；形成多个对准该第二栅极的金属图案于该第二绝缘层上；形成一保护层于该第二绝缘层上，并且覆盖该些金属图案；形成一光阻层于该保护层上，且该光阻层并且具有一对准于该第一和第二栅极的第一开口和第二开口；以该光阻层作为蚀刻掩膜，回蚀刻该第一开口下的该保护层和部分该第二绝缘层以及该第二开口下的该保护层；实施一信道注入步骤，使得第一型杂质可经过该第一开口而穿透上述第一栅极，并且在上述第一栅极底下的基底内形成一信道区；以及实施一热退火处理。2.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该第一型是P型，该第二型是N型。3.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该第一型是N型，该第二型是P型。4.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该第一栅极和该第二栅极均包含有一栅极氧化层和一位在该栅极氧化层表面的多晶硅层。5.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该第一绝缘层是由未掺杂的常压化学气相沉积层所构成。6.如权利要求5所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该第一绝缘层是由未掺杂的硅玻璃所构成。7.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该第二绝缘层是由硼磷硅玻璃构成。8.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该保护层是选自磷玻璃和氮化硅。9.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该金属层是选自铜、铝、铝铜合金、铝硅铜合金。10.如权利要求1所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该热退火步骤是于425～550℃环境中，处理60～90分钟而完成。11.如权利要求2所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该信道注入步骤所用的杂质是选自含硼杂质所构成的族群。12.如权利要求11所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该信道杂质的注入剂量为大于1×1013ions/cm2，且杂质的注入能量为100～150keV。13.如权利要求3所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该信道注入步骤所用的杂质是选自磷和砷。14.如权利要求13所述的单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其中该信道杂质的注入剂量为大于1×1014ions/cm2，且杂质的注入能量为大于300keV。15.一种单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法，其特征是其步骤包括提供一P型半导体基底，且该第一型半导体基底并区分为一只读区和一焊垫区；在该只读区内和该焊垫区分别形成多个第一栅极和多个第二栅极；在每一个位于该只读区内的第一栅极两侧基底内形成一N型源极/漏极区；依序形成一第一绝缘层和一第二绝缘层于该只读区和该焊垫区表面；利用蚀刻平板印刷技术和蚀刻技术定义该第一绝缘层和第二绝缘层，形成一露出上述第一栅极以及上述N型源极/漏极表面的接触开口；形成多数个对准该第二栅极的金属图案于该第二绝缘层上；形成一保护层于该第二绝缘层上，并且覆盖该些金属图案；形成一光阻层于该保护层上，且该光阻层并且具有一对准于该第一和第二栅极的第一开口和第二开口；以该光阻层作为蚀刻掩膜，回蚀刻该第一开口下的该保护层和部分该第二绝缘层以及该第二开口下的该保护层；实施一信道注入步骤，使得P型杂质可经过该第一开口而穿透上述第一栅极，并且在上述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李振瑞，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。