掩膜只读存储器的制造方法技术

本发明专利技术揭露了一种掩膜只读存储器的制造方法，利用未经掺杂的栅极物质层来构造栅极，从而使得该工艺流程与标准的ＣＭＯＳ工艺兼容，避免了前期掺杂好栅极物质层所带来的逻辑工艺不兼容问题。同时，利用ＯＮ－ＮＯ两步侧墙法，即在形成底氧化硅层与第一氮化硅层后，插入存储单元区栅极阵列介质层填充工艺，而后再形成第二氮化硅层与顶氧化硅层。这样，起初形成了相对较薄的ＯＮ层，扩大了介质层沉积的工艺空间，有利于半导体存储器的集成度的进一步提高；且在后续刻蚀中，在第二氮化硅层的保护下，栅极阵列之间介质层的损失会有所减少，以在栅极掺杂过程中有效抑制掺杂离子的穿透，减小存储单元间漏电流产生的几率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制造方法，特别是涉及一种掩膜只读存储器(MROM)的制造方法。
技术介绍
掩膜只读存储器(MROM)是半导体存储器的常见种类之一，其广泛应用 于计算机等电子产品中。掩膜只读存储器由存储单元阵列和外围逻辑电路组成， 存储单元阵列往往由相互正交的位线和字线构成其中利用离子注入工艺在存 储单元区形成埋设层，进一步热处理便可以构成位线，而字线往往为栅极阵列， 其通过光刻与刻蚀工艺而构成。外围逻辑电路往往包括多个逻辑晶体管，为了 简化制作流程，外围逻辑电路的逻辑晶体管的栅极与存储单元阵列的栅极阵列 往往利用同一栅极物质层制作。然而，外围逻辑电路和存储单元阵列的工艺结 构毕竟不同，如何兼容其制造流程并保证器件的性能便显得十分重要。 在现有掩膜只读存储器制造工艺中，制作存储单元阵列和外围逻辑电路的栅极 的物质层往往由掺杂好的多晶硅构成。然而在标准CMOS工艺中，PMOS与 NMOS的栅极掺杂类型不同，致使现有的掩膜只读存储器的制造工艺与标准 CMOS逻辑工艺技术不兼容，而在后续的掺杂注入中，造成对存储器性能的干 扰。另外，在现有的掩膜只读存储器制造工艺中，往往在^H及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜只读存储器的制造方法，其特征是，包括：　提供具有存储单元区和外围电路区的半导体衬底；　在半导体衬底上形成未经掺杂的栅极物质层；　刻蚀栅极物质层，分别于存储单元区和外围电路区形成栅极阵列和逻辑晶体管栅极；　依次 沉积第一氧化硅层与第一氮化硅层；　在存储单元区的栅极阵列之间填充介质层；　沉积第二氮化硅层；　沉积第二氧化硅层；　进行氧化硅和氮化硅的刻蚀，在外围电路区形成栅极侧墙，并去除存储单元区的第二氧化硅层、第二氮化硅层和栅极 阵列上的第一氮化硅层；　对存储单元区的栅极阵列进行栅极掺杂。

【技术特征摘要】
1. 一种掩膜只读存储器的制造方法，其特征是，包括提供具有存储单元区和外围电路区的半导体衬底；在半导体衬底上形成未经掺杂的栅极物质层；刻蚀栅极物质层，分别于存储单元区和外围电路区形成栅极阵列和逻辑晶体管栅极；依次沉积第一氧化硅层与第一氮化硅层；在存储单元区的栅极阵列之间填充介质层；沉积第二氮化硅层；沉积第二氧化硅层；进行氧化硅和氮化硅的刻蚀，在外围电路区形成栅极侧墙，并去除存储单元区的第二氧化硅层、第二氮化硅层和栅极阵列上的第一氮化硅层；对存储单元区的栅极阵列进行栅极掺杂。2. 根据权利要求1所述的掩膜只读存储器的制造方法，其特征是，在完成 栅极掺杂后还包括在存储单元区写入数据；在外围电路区无需形成金属硅化物的逻辑晶体管上形成阻挡层； 在存储单元区的栅极阵列上形成金属硅化物，并在外围电路区未形成金属 硅化物的逻辑晶体管的栅极和源、漏区域上形成金属硅化物。3. 根据权利要求2所迷的掩膜只读存储器的制造方法，其特征是，所述于 存储单元区写入数据的过程包括对需要写入数据0的存储单元进行重掺杂离子注入； 对需要写入数据i的存储单元不进行离子注入。4. 根据权利要求2所述的掩膜只读存储器的制造方法，其特征是，所述阻 挡层为氧化硅层。5. 根据权利要求2所述的掩膜只读存储器的制造方法，其特征是，所迷金 属硅化物为钬硅化物或钴珪化物。6. 根据权利要求2所迷的掩膜只读存储器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：董耀旗，孔蔚然，李荣林，李栋，徐爱斌，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]