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本发明揭露了一种掩膜只读存储器的制造方法，利用未经掺杂的栅极物质层来构造栅极，从而使得该工艺流程与标准的ＣＭＯＳ工艺兼容，避免了前期掺杂好栅极物质层所带来的逻辑工艺不兼容问题。同时，利用ＯＮ－ＮＯ两步侧墙法，即在形成底氧化硅层与第一氮化硅层...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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