存储单元装置和制造这种装置的注入掩膜制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种由混合存储单元组成的存储单元装置，其中各个位线对（ＢＬＯ、ｂＢＬ０；ＢＬ１、ｂＢＬ１）各通过另一位线对的一条位线分开，使得存储单元相互以１／４分割排列。借此可以应用没有连接区及转角区域的自身相连的注入掩膜部分（１２），这种掩膜可以避免注入问题并且使制造不同起始电压的晶体管成为可能。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种由字线和位线对以矩阵形势连接的混合存储单元组成的存储单元装置，这些单元分别包括一个存储电容器和一个选择晶体管，其中为每个存储单元分配一个具有与选择晶体管的起始电压不相同的起始电压的短路晶体管。此外，本专利技术还涉及一种用于制造这种存储单元装置的注入掩膜。在常规存储单元装置中，例如在具有选择晶体管和铁电存储单元的那种装置中，通常在存储单元阵列中只应用相同类型的晶体管。其中，″相同类型″的晶体管在这里主要意味着这些晶体管有相同导电类型并且还各具有相同的起始电压。应用这些相同类型的晶体管具有相当大的优点，即用于调整起始电压所必须的注入可以大面积进行，并且因而使注入掩膜的制造毫无困难。作为举例可以提到当前的DRAM(动态写/读存储器)，这种存储器是由相同类型n沟道MOS晶体管的单元阵列构成的，这种阵列是经字线和位线对由相邻排列的位线BL和bBL组成。己知在开始所述类型的存储单元装置中，由于干扰脉冲可能出现最后导致信息丢失的问题(参阅DE 19832994 A1或GR 98 P 2134 DE)。为了防止这类信息丢失已经考虑了再给每个存储电容器分配一短路晶体管，该晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制造存储单元装置的注入掩膜，该存储单元装置由与字线（ＷＬ０、ＷＬ１、ＷＬ２…）和位线（ＢＬ０、ｂＢＬ０；ＢＬ１、ｂＢＬ１…）以矩阵形式连接的混合存储单元组成，这些存储单元分别由一个尤其是铁电存储电容器（Ｃｆｅｒｒｏ）和一个选择晶体管（ＴＧ）组成，其中为每个存储单元分配一个具有与选择晶体管（ＴＧ）的起始电压不相同起始电压的短路晶体管（ＳＧ），并且其中各个位线对（ＢＬ０，ｂＢＬ０；ＢＬ１、ｂＢＬ１）各通过另一位线对的一条位线（例如ＢＬ１）相互分开，使得存储单元彼此以１／４分割排列，其特征在于，各个注入掩膜部分（１２）如此阶梯状地在相邻排列的位线（ＢＬ０、ｂＢＬ０、ＢＬ１、ｂＢＬ１）上错位地安置...

【技术特征摘要】
DE 1998-10-23 19848999.41.用于制造存储单元装置的注入掩膜，该存储单元装置由与字线(WL0、WL1、WL2...)和位线(BL0、bBL0；BL1、bBL1...)以矩阵形式连接的混合存储单元组成，这些存储单元分别由一个尤其是铁电存储电容器(Cferro)和一个选择晶体管(TG)组成，其中为每个存储单元分配一个具有与选择晶体管(TG)的起始电压不相同起始电压的短路晶体管(SG)，并且其中各个位线对(BL0，b...

【专利技术属性】
技术研发人员：H赫尼希施米茨，G布朗，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：DE[]