【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及可提供低电容介质隔离的用于半导体的材料。如本领域所公知的那样，半导体器件应用范围广泛。许多这类应用需要使用介质以在例如有源器件之间、用于动态随机存取存储器(DRAM)的电容器的导电板之间、以及导电材料层之间提供隔离。典型的隔离材料是二氧化硅和氮化硅。例如二氧化硅一般用于对器件进行电隔离。为得到具有相对薄的介质材料层的较高电容，由于氮化硅的介质常数比二氧化硅高，常常使用氮化硅。例如，在一些DRAM中所用的沟槽电容器中，沟槽是被做在硅衬底内的，然后使沟槽壁暴露于氢中以预清洁或弄光滑沟槽壁，从而在预清洁过的沟槽壁上得到均匀淀积(如热淀积和LPCVD淀积)的氮化硅层。单晶片快速热化学汽相沉积(RTCVT)一般在温度700℃-950℃、压力100托下进行氢预清洁，而在分批炉则加压力1-20托。应注意，一处或两处原有二氧化硅单层(即由于通常存在的清洁的室内氧气而形成的1纳米厚度以下的二氧化硅层)可能在氮化硅层淀积之前形成在沟槽的硅壁上。在氢预清洁步骤期间，原有二氧化硅的厚度可降低，从而促使形成更富氮的层，从而提高沟槽电容器的电容。如上所述...
【技术保护点】
一种在硅材料上形成介质材料的方法，包括以下步骤：在硅表面形成二氧化硅介质层；和降低二氧化硅和硅之间的介电常数，包括用氢处理所述表面的步骤。
【技术特征摘要】
US 1998-6-26 09/1056331.一种在硅材料上形成介质材料的方法，包括以下步骤在硅表面形成二氧化硅介质层；和降低二氧化硅和硅之间的介电常数，包括用氢处理所述表面的步骤。2.权利要求1所述的方法，其中形成二氧化硅的步骤包括形成厚度大于2nm的二氧化硅的步骤。3.权利要求2所述的方法，用氢处理所述表面的步骤包括在温度950-1100℃下、压力大于100托下在氢气中焙烧的步骤。4.权利要求2所述的方法，其中用氢处理所述表面的步骤包括以至少每立方厘米1017个原子或更大的浓度在表面形成氢原子的步骤。5.权利要求2所述的方法，其中用氢处理所述表面的步骤包括以至少每立方厘米1017个原子或更大的浓度将氢原子注入表面的步骤。6.一种在硅上形成介质的方法，包括以下步骤在硅表面上形成厚度大于2nm的二氧化硅层；和用氢处理所述表面。7.权利要求6所述的方法，其中用氢处理所述表面的步骤包括在温度950-1100℃下、压力大于100托下在氢气中焙烧的步骤。8.一种在硅上形成介质的方法，包括以下步骤在硅表面上形成二氧化硅层；和将二氧化硅和硅之间的介电常数降低到至少十倍，包括用氢处理所述表面的步骤。9.权利要求8所述的方法，其中形成二氧化硅的步骤包括形成厚度大于2nm的二氧化硅的步骤。10.权利要求9所述的方法，用氢处理所述表面的步骤包括在温度950-1100℃下、压力大于100托下在氢气中焙烧的步骤。11.权利要求9所述的方法，其中用氢处理所述表面的步骤包括以每立方厘米1017个原子或更大的浓度在表面形成氢原子的步骤。12.形成降低在硅衬底上形成的电容的方法，该电容具有作为其介质材料的在硅衬底表面的二氧化硅层，包括以下步骤将氢原子引入所述表面的一部分，以提高该表面部分的介电常数，增大介质材料的有效厚度，并降低所述电容。13.权利要求12所述的方法，它包括形成厚度大于2nm的二氧化硅层的步骤。1...
【专利技术属性】
技术研发人员：M施雷姆斯，RP沃勒特森，J赫普夫纳，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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