【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到半导体模块，更确切地说是涉及到能够获得其小型化的半导体模块。
技术介绍
作为将其中组合有诸如晶体管之类的有源元件的半导体芯片以及其中组合有诸如电阻器、电容器之类的无源元件的芯片部件分别安装在印刷电路板上的半导体模块(半导体器件)的例子，已知有混合集成电路器件。混合集成电路器件构成例如组合在移动电话中的高频功率放大器件(高频功率模块，例如见专利文献1)。而且，已知有一种制造具有电容器的小型IC(集成电路器件)的技术(例如见专利文献2)。日本未经审查的专利公开No.Hei 9(1997)-116091(p.5-7，图1，图3)[专利文献2]日本未经审查的专利公开No.Hei 9(1997)-232504(p.2，图5)大量电子部件被组合到移动通信的终端设备(移动电话等)中。组合在移动电话的传输系统中的高频放大器器件(功率放大器模块PA)的急剧小型化和复杂化已经在进行中。作为一种通信方法，已知GSM(全球移动通信系统)方法。虽然这种GSM方法的功率放大器模块目前的外形尺寸被设定为纵向10mm和横向8mm，但作为下一代模块的主流，外形尺寸有望会被设定为...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体模块，它包含模块板，其上表面上具有布线，且其下表面上具有外部电极端子；形成在模块板上且包括有源元件的第一半导体芯片和第二半导体芯片；以及集成无源器件，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片之一以及集成无源器件，以重叠的方式被安装在模块板的上表面上。2.根据权利要求1的半导体模块，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片包括放大电路，且第一半导体芯片的输出被输入到第二半导体芯片。3.根据权利要求2的半导体模块，其中，级间匹配电路被提供在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，且级间匹配电路由集成无源器件组成。4.根据权利要求3的半导体模块，其中，半导体模块包括连接到第一半导体芯片的输入部分的输入匹配电路以及连接到第二半导体芯片的输出部分的输出匹配电路，且输出匹配电路借助于连接分立部件而构成。5.一种半导体模块，它包含模块板，其上表面上具有布线，且其下表面上具有外部电极端子；形成在模块板上且包括有源元件的第一半导体芯片和第二半导体芯片；以及集成无源器件，其中，第一半导体芯片被安装在第二半导体芯片上。6.根据权利要求5的半导体模块，其中，第二半导体芯片的热值大于第一半导体芯片的热值。7.根据权利要求6的半导体模块，其中，分立部件被安装在模块板的上表面上。8.根据权利要求6的半导体模块，其中，集成无源器件被安置在第一半导体芯片上。9.根据权利要求6的半导体模块，其中，集成无源器件被安装在第一半导体芯片的上表面上，且第二半导体芯片被安装在集成无源器件上。10.根据权利要求9的半导体模块，其中，分立部件被安装在模块板的上表面上。11.根据权利要求6的半导体模块，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片包括放大电路，第一半导体芯片的输出被构造成输入到第二半导体芯片，且级间匹配电路被提供在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间。12.根据权利要求11的半导体模块，其中，半导体模块包括连接到第一半导体芯片的输入部分的输入匹配电路以及连接到第二半导体芯片的输出部分的输出匹配电路，且输出匹配电路借助于连接分立部件而构成。13.一种半导体模块，它包含模块板，其上表面上具有布线，且其下表面上具有外部电极端子；其上制作有源元件的第一半导体芯片和第二半导体芯片；以及第一集成无源器件，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片安置在模块板的上表面一侧，二者之间具有预定的距离。14.根据权利要求13的半导体模块，其中，第一集成无源器件被排列在第一半导体芯片的上表面上。15.根据权利要求14的半导体模块，其中，分立部件被安装在模块板的上表面上。16.根据权利要求14的半导体模块，其中，第二集成无源器件被安装在模块板的上表面上，且包括有源元件的半导体芯片不存在于第二集成无源器件与模块板之间。17.根据权利要求16的半导体模块，其中，分立部件被安装在模块板的上表面上。18.根据权利要求14的半导体模块，其中，第二集成无源器件被安装在模块板的上表面上，且第二集成无源器件被安装在第二半导体芯片的上表面上。19.根据权利要求13的半导体模块，其中，第一集成无源器件被安置在第一半导体芯片下方。20.根据权利要求19的半导体模块，其中，用倒装芯片连接方法将第一集成无源器件安装在模块板的上表面上。21.根据权利要求20的半导体模块，其中，分立部件被安装在模块板的上表面上。22.根据权利要求19的半导体模块，其中，分立部件被安装在模块板的上表面上。23.根据权利要求13的半导体模块，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片包括放大电路，第一半导体芯片的输出被构造成输入到第二半导体芯片，级间匹配电路被提供在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，且级间匹配电路由...
【专利技术属性】
技术研发人员：小西聪，远藤恒雄，中嶋浩一，土屋正明，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：
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