半导体模块制造技术

技术编号:8191756 阅读:178 留言:0更新日期:2013-01-10 02:30
本发明专利技术公开了一种半导体模块,包括:半导体元件;电容器,其被配置为电连接到所述半导体元件;以及散热器,其中所述半导体元件和所述电容器经由所述散热器而彼此堆叠,并且其中所述半导体元件布置在从堆叠方向观察时与所述电容器重叠的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包括半导体元件的半导体模块
技术介绍
通常,已知一种包括诸如切换元件的半导体元件和电容器的半导体模块。例如,这些半导体模块之一包括冷却管、正极端子、负极端子、正极侧散热器、负极侧散热器、半导体以及电容器。在此半导体模块中,直流电被供给到正极端子和负极端子,半导体元件连接到正极侧散热器和负极侧散热器,并且电容器与正极侧散热器和负极侧散热器之间的半导体元件并联地电连接。当半导体被导通时,正极侧散热器和负极侧散热器散发由半导体元件产生的热,并且冷却管对正极侧散热器、负极侧散热器和电容器进行冷却(例如见专利文献I)。 公开号为2010-153527的日本专利申请根据如上所述的半导体模块,由于电容器和半导体元件经由正极侧散热器和负极侧散热器连接,因此从半导体元件散发的热传导至电容器。因而,存在的问题是,难以使得半导体元件在高温下工作。例如,在包括在半导体模块中的电容器是薄膜电容器的情况下,电容器的温度上限是大约105° C。相比之下,在半导体元件的主要成分是硅(Si)的情况下,包括在半导体模块中的半导体元件的温度上限是大约150° C。可选择地,在半导体元件的主要成分是碳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体模块,包括:半导体元件;电容器,其被配置为电连接到所述半导体元件;以及散热器,其中所述半导体元件和所述电容器经由所述散热器而彼此堆叠,并且其中所述半导体元件布置在从堆叠方向观察时与所述电容器重叠的位置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:土屋次郎佐佐木虎彦今井诚户嶋秀树原田直一满永智明
申请(专利权)人:丰田自动车株式会社
类型:发明
国别省市:

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