热界面材料及半导体封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种热界面材料及半导体封装结构，所述半导体封装结构包含一基板、一芯片及一散热片。所述芯片设于所述基板上，所述散热片设于所述芯片上。所述芯片与所述散热板之间包含所述热界面材料，所述热界面材料包含一石墨烯层及二低熔点金属层，所述二低熔点金属层以上下配置方式包覆着所述石墨烯层。本发明专利技术通过高导热系数的石墨烯材料，使所述芯片与所述散热片之间的平面性热传导效率能提高，且成本相对于使用纯铟作为热界面材料能更为降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种热界面材料及半导体封装结构，特别是涉及一种以石墨烯与低熔点金属组成的热界面材料及具有所述热界面材料的半导体封装结构。
技术介绍
现有高阶半导体芯片(如逻辑运算芯片)或堆栈式的半导体芯片在运作时容易产生高温，因此其表面需要另外接合一散热片(heat sink)以提高整体散热效率。常见的固定散热片于芯片的方法是使用导热胶，然而其接合时导热胶厚度均一性控制不易，及内含的金属导热颗粒的导热性也较纯金属材质差。为符合高散热需求的半导体封装，近年来开始使用金属导热材料，例如铟(Indium)片，因为铟具有良好的热物性(Thermophysical property),以及绝佳的导热性及 延展性，可大幅提升导热效果，因此在具有高阶半导体芯片或堆栈式的半导体芯片的半导体组装构造上，已普遍开始使用纯铟作为热接合材料。铟片在使用上必须与具有镀金层的介质在经过特定温度使铟片表面熔融后，才能与镀金层形成金属键结，达到有效接合效果。然而，铟片在高温接合过程中，会因熔融态而具有流动性，而该铟片的流动意味着其无法有效黏合于该散热片，导热效果将大幅降低。此夕卜，四处流动的铟片亦可能造成半导体封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热界面材料，其特征在于：所述热界面材料包含：一石墨烯层；及二低熔点金属层，以上下配置方式包覆着所述石墨烯层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳仁，蔡宗岳，高金利，杨金凤，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：