【技术实现步骤摘要】
专利技术所属领域本专利技术是关于一种半导体装置的制造方法；尤其是关于半导体装置中的电容器的制造方法。现有技术由于半导体装置的大量集成化，例如动态随机存取记忆体(DRAM)，用以储存讯息的记忆单元的总面积已迅速减少。尤其是，记忆单元面积的减少使记忆单元中的电容器的面积减少。但是，记忆单元面积的减少反而会使传感界限和传感速度降低。此外，此种记忆单元面积的减少也会降低对α粒子所产生的软错误的容限。电容器的电容值C由下式定义C＝ε×As/d 式1这里，ε是介电常数；As为电极的有效面积；d是电极间的距离。根据式1，增加电容器的电容值的方法有三第一种方法是使电极的有效表面积变宽；第二种方法是减少介电物质的厚度；及第三种方法是增加介电常数。在这三种方法中，第一种方法是最先考虑用以增加电容器的电容值。如上所述，在第一种方法中，使电极的有效表面积变宽。因此，电容器应该由特殊的三维结构所形成，如凹形结构，柱状结构，多层针状结构等等。但是，由于半导体装置的超大量集成化，所以这种方法有所限制。另一种是减少介电物质的厚度，以缩减电极间的距离d的方法，也面临因介电物质厚度减少的事实，而造...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于制备半导体装置中的电容器的方法，它包含下列步骤(a)在基板上形成作为底部电极的导电硅层；(b)氮化处理该导电硅层；(c)氧化处理氮化的导电硅层；(d)在该氧化层的表面上形成氮化硅层；(e)在氮化硅层上形成介电层；及(f)在介电层上形成顶部电极。2.如权利要求1的方法，其中，在步骤(c)中，使用自然氧化物层。3.如权利要求2的方法，其中，所形成的自然氧化物层的厚度范围约1到5。4.如权利要求3的方法，其中，在步骤(b)中，在压力范围约10Torr到100...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴锺范，吴勋静，金京民，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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