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一种用于制备半导体装置中的电容器的方法，它包含下列步骤：　　　　（ａ）在基板上形成作为底部电极的导电硅层；　　　　（ｂ）氮化处理该导电硅层；　　　　（ｃ）氧化处理氮化的导电硅层；　　　　（ｄ）在该氧化层的表面上形成氮化硅层；　　　　（ｅ）在...
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