相移掩模、及使用它的图形形成方法和电子器件制造方法技术

一种相移掩模，其特征在于：　　　　包括：　　　　由透过曝光光的材料构成的基板（１）；以及　　　　在上述基板（１）上形成、并且具有露出上述基板（１）的一部分表面的开口部（２ａ）的中间色调遮光膜（２），　　　　透过上述中间色调遮光膜（２）的曝光光的相位与透过上述开口部（２ａ）的曝光光的相位不同，　　　　由透过上述中间色调遮光膜（２）的曝光光的光强对透过上述开口部（２ａ）的曝光光的光强之比所定义的透光率为１５％以上、２５％以下，　　　　上述开口部（２ａ）的尺寸在基于曝光光的波长λ／数值孔径ＮＡ被定为１进行测量时为０．２６以上、０．４５以下。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及中间色调型的相移掩模、使用该种相移掩模的图形的形成方法和电子器件的制造方法。
技术介绍
近年来，半导体集成电路中的高集成化和微细化是惊人的。与之相随，在半导体衬底(以下仅称为晶片)上所形成的电路图形的微细化也正在取得急剧的进展。尤其是，光刻技术被广泛地认为是一种图形形成中的基本技术。因而，迄今已对其进行了各种开发和改进。然而，图形的微细化永无止境，提高图形的分辨率的要求仍在进一步增强。这种光刻技术指的是将光掩模(原图)上的图形复制到涂敷在晶片上的光致抗蚀剂上，并用该复制了的光致抗蚀剂对供刻蚀的下层覆膜进行构图的技术。在对该光致抗蚀剂进行图形复制时，要对光致抗蚀剂进行显影处理，通过该显影处理，受光照部分的光致抗蚀剂被除去的类型称为正型光致抗蚀剂，未受光照部分的光致抗蚀剂被除去的类型称为负型光致抗蚀剂。一般来说，使用了缩小曝光方法的光刻技术中的分辨极限R(nm)被表示为R＝k1·λ/(NA)这里，λ为所使用的光的波长(nm)，NA为透镜的投影光学系统的数值孔径，k1是与成像条件和抗蚀剂工艺有关的常数。从上式可知，为了实现分辨极限R的提高，即为了得到微细图形，要考虑采用减本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种相移掩模，其特征在于包括由透过曝光光的材料构成的基板(1)；以及在上述基板(1)上形成、并且具有露出上述基板(1)的一部分表面的开口部(2a)的中间色调遮光膜(2)，透过上述中间色调遮光膜(2)的曝光光的相位与透过上述开口部(2a)的曝光光的相位不同，由透过上述中间色调遮光膜(2)的曝光光的光强对透过上述开口部(2a)的曝光光的光强之比所定义的透光率为15％以上、25％以下，上述开口部(2a)的尺寸在基于曝光光的波长λ/数值孔径NA被定为1进行测量时为0.26以上、0.45以下。2.一种使用了相移掩模的图形的形成方法，其特征在于利用变形照明来照明权利要求1所述的上述相移掩模。3.如权利要求2所述的使用了相移掩模的图形的形成方法，其特征在于上述变形照明是十字极照明。4.如权利要求2所述的使用了相移掩模的图形的形成方法，其特征在于上述变形照明是环带照明。5.如权利要求2所述的使用了相移掩模的图形的形成方法，其特征在于上述变形照明是4极照明。6.如权利要求2所述的使用了相移掩模的图形的形成方法，其特征在于，包括利用对上述相移掩模(5)进行照明的曝...

【专利技术属性】
技术研发人员：中尾修治，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：