【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供一种不对称的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)结构，尤指一种液晶显示器(liquid crystal display，LCD)的不对称薄膜晶体管结构。
技术介绍
薄膜晶体管的有源层由半导体材料组成，可以提供高电子迁移率，因此已广泛应用于各式功能电路设计中。举例而言，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)运用了大量的薄膜晶体管在其像素电路以及外围驱动电路等两大功能电路设计中。由于像素电路以及外围驱动电路的功能以及操作情况并不相同，因此其各自的薄膜晶体管特性需求也不尽相同。在像素电路方面，由于薄膜晶体管主要是用来作为像素的开关元件，提供适当的电压来控制液晶分子的旋转角度，因此其特别需要降低漏电流(off-current)，以维持储存于像素储存电容中的电荷。请参考图1，图1是现有一薄膜晶体管结构的剖面示意图。薄膜晶体管10包含有一衬底12，一半导体层14设于衬底12表面，一栅极绝缘层16设于半导体层14表面，以及一栅极18设于栅极绝缘层16表面。半导体层14包含有两轻掺杂漏极(lightly doped drain，LDD)...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种不对称的薄膜晶体管结构，其包含有一衬底；一半导体层设于该衬底上，该半导体层包含有一沟道区，一第一轻掺杂区以及一第一重掺杂区设于该沟道区的一侧，一第二轻掺杂区以及一第二重掺杂区设于该沟道区的另一侧，且其中该第一轻掺杂区与该第一重掺杂区之间包含有一第一界面，该第二轻掺杂区与该第二重掺杂区之间包含有一第二界面；以及一栅极设于该衬底上，该栅极包含有一第一侧壁以及一第二侧壁，且其中该第一侧壁与该第一界面间的间距与该第二侧壁与该第二界面间的间距不相等。2.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该栅极设于该半导体层上方。3.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该栅极设于该半导体层下方。4.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该第一侧壁与该第一轻掺杂区相堆栈。5.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该第二侧壁与该第二轻掺杂区相堆栈。6.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该第一轻掺杂区以及该第二轻掺杂区作为该薄膜晶体管的轻掺杂漏极。7.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该第一重掺杂区以及该第二重掺杂区作为该薄膜晶体管的源极与漏极。8.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该第一轻掺杂区的长度约介于0至3.5微米之间。9.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该第二轻掺杂区的长度约介于0至3.5微米之间。10.如权利要求1的薄膜晶体管结构，其中该半导体层包含N型掺杂剂...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈坤宏，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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