薄膜晶体管与其制作方法技术

本发明专利技术主要是提供一种薄膜晶体管，其包括有一半导体层、一下重掺杂半导体层与一上重掺杂半导体层构成的内岛状结构。其中下重掺杂半导体层设于半导体层的沟道区域外的相对两侧的上表面，而上重掺杂半导体层设于下重掺杂半导体层上且包覆下重掺杂半导体层相对于沟道区域外的两侧壁与半导体层相对两侧的侧壁，由此源极电极与漏极电极未与半导体层直接相连。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种可避免源极/漏极漏电流的非晶硅。
技术介绍
随着液晶显示技术的快速发展，液晶显示面板已广泛地应用于各式电子产品的显示装置与平面薄型电视产品等。由于液晶显示面板需利用一背光模组作为光源，因此必须使用具透光性质的衬底来制作，其中又以玻璃衬底最常见。然而由于玻璃无法耐高温，因此使用玻璃衬底的液晶显示面板往往使用工艺温度较低的非晶硅层作为薄膜晶体管的半导体层材质。请参考图1，图1为一现有非晶硅薄膜晶体管10的示意图。如图1所示，非晶硅薄膜晶体管10包含有一衬底12、一栅极电极14设置于衬底12的表面、一栅极绝缘层16设于衬底12上并覆盖栅极电极14、一非晶硅层18位于栅极绝缘层16的表面、一重掺杂非晶硅层20位于非晶硅层18的上表面的二相对侧边，以及一源极电极22与一漏极电极24分别位于重掺杂非晶硅层20上。其中栅极电极14、源极电极22与漏极电极24是由金属材质所组成，且非晶硅层18包含有一沟道区域26。非晶硅层18与重掺杂非晶硅层20一般称为岛状结构，且设置于非晶硅层18的沟道区域26二相对侧边上表面的重掺杂非晶硅层20的作用在于改善源极电极22以及漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：一衬底；一栅极电极，形成于该衬底上；一栅极绝缘层，形成于该衬底上且覆盖该栅极电极；一岛状结构，设于该栅极绝缘层上，该岛状结构包括：　一半导体层，相对于该栅极电极形成于该栅极绝缘层 上，该半导体层包括一沟道区域；以及　一上重掺杂半导体层，形成于该半导体层上并包覆该半导体层的该沟道区域外的相对两侧的侧壁；以及一源极电极与一漏极电极，分别形成于相对该沟道区域两侧的该上重掺杂半导体层的上方。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括一衬底；一栅极电极，形成于该衬底上；一栅极绝缘层，形成于该衬底上且覆盖该栅极电极；一岛状结构，设于该栅极绝缘层上，该岛状结构包括一半导体层，相对于该栅极电极形成于该栅极绝缘层上，该半导体层包括一沟道区域；以及一上重掺杂半导体层，形成于该半导体层上并包覆该半导体层的该沟道区域外的相对两侧的侧壁；以及一源极电极与一漏极电极，分别形成于相对该沟道区域两侧的该上重掺杂半导体层的上方。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该半导体层的尺寸小于该栅极电极的尺寸。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该半导体层包括一非晶硅层。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈纪文，张鼎张，刘柏村，甘丰源，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]