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本发明主要是提供一种薄膜晶体管，其包括有一半导体层、一下重掺杂半导体层与一上重掺杂半导体层构成的内岛状结构。其中下重掺杂半导体层设于半导体层的沟道区域外的相对两侧的上表面，而上重掺杂半导体层设于下重掺杂半导体层上且包覆下重掺杂半导体层相对于...
该专利属于友达光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。

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