薄膜晶体管元件制造技术

一种薄膜晶体管元件，包括一基板、一含银栅极层、一第一接面层、一栅极绝缘层、一半导体层、一源极与一漏极。其中，该含银栅极层位于该基板上，该第一接面层介于该基板与该含银栅极层间，该栅极绝缘层位于该含银栅极层上方，该半导体层位于该栅极绝缘层上，并且该源极与漏极位于部分该半导体层上。因此，通过提供具有低电阻率与粘着特性的含银金属导线，可形成较佳品质的薄膜晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管元件，特别涉及一种具有低电阻值与较佳的层间粘着特性的薄膜晶体管元件。
技术介绍
随着半导体设计及生产技术不断更新，以及元件本身速度的改良，再加上TFT-LCD面板尺寸及分辨率增加，电阻-电容信号的时间延迟(RC timedelay)影响愈发显著，因此必须选择低电阻率的材料作为元件间连线，而且随着元件密度增加，使得连线的线宽变小，以致电流密度变高所衍生的电迁移问题也成为研发人员在材料选用的一项考量向度。一般而言，传统上是以铝导线作为连线材料，其电阻率为2.66μΩ-cm，以铜导线(其电阻率为1.67μΩ-cm)及银导线作为连线材料以取代铝，目前逐渐被视为可行方案，因为铜与银相较于铝，皆具有较高的抗电迁移性及较低的电阻率。请参阅图1，其为现有一优选实施例的薄膜晶体管元件的剖面图。在此实施例中，薄膜晶体管元件包括一基板11、一栅极12、一栅极绝缘层13、一半导体层14、一源极15与一漏极16。其中，该栅极12可利用一物理气相沉积形成于该基板11上，然后经过一第一道黄光工艺、PECVD第二黄光工艺以陆续形成该栅极绝缘层13与该半导体层14，然后再通过第三道黄光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管元件，包括：一基板；一含银栅极层，位于该基板上；一第一接面层，介于该基板与该含银栅极层间；一栅极绝缘层，位于该含银栅极层上方；一半导体层，位于该栅极绝缘层上；以及一源极与一漏极， 位于部分该半导体层上。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管元件，包括一基板；一含银栅极层，位于该基板上；一第一接面层，介于该基板与该含银栅极层间；一栅极绝缘层，位于该含银栅极层上方；一半导体层，位于该栅极绝缘层上；以及一源极与一漏极，位于部分该半导体层上。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其中该第一接面层包括钛、钽、镍、铬、钨、钴、镁、钒或上述金属的合金。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其中该第一接面层包括钛氮化物、钽氮化物、钨氮化物、钛硅化物、钽硅化物或钨硅化物。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管元件，还包括一第二接面层位于该含银栅极层与该栅极绝缘层之间。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管元件，其中该第二接面层包括钛、钽、镍、铬、钨、钴、镁、钒或上述金属的合金。6.如权利要求4所述的薄膜晶体管元件，其中该第二接面层包括钛氮化物、钽氮化物、钨氮化物、钛硅化物、钽硅化物或钨硅化物。7.如权利要求1所述的薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文庆，方国龙，林汉涂，李嘉盛，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]